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多層石墨烯(進(jìn)口) 詳細(xì)摘要: 多層石墨烯(進(jìn)口) Multi-layer GrapheneCVD石墨烯層數(shù):2-8基材:銅箔/硅/二氧化硅/PET/塑料/玻璃/石英
產(chǎn)品型號(hào):2*2'' 兩層 所在地:上海市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
PMMA涂層/預(yù)處理石墨烯 詳細(xì)摘要: PMMA涂層/預(yù)處理石墨烯(進(jìn)口) PMMA-coated Graphene - Pretreated Graphene-PMMA Coated表面電阻:小于6...
產(chǎn)品型號(hào):1*1cm 所在地:上海市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
石英基底石墨烯 詳細(xì)摘要: 石英基底石墨烯 Grapheneon Quartz表面電阻:小于600Ω/sq定制:<300Ω/sq透明度: 95%
產(chǎn)品型號(hào):1*1cm 單層 所在地:上海市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
塑料基底石墨烯 詳細(xì)摘要: 塑料基底石墨烯 Graphene on Plastic說明:石墨烯轉(zhuǎn)移到塑料基材(一個(gè)聚合物主要含有聚酯和其他成分(10%))。表面電阻:小于600Ω/sq定制...
產(chǎn)品型號(hào):10*5cm 單層 所在地:上海市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
PET基底石墨烯(進(jìn)口) 詳細(xì)摘要: PET基底石墨烯 Graphene on PET表面電阻:小于600Ω/sq定做:<300Ω/sq透明度: 95%
產(chǎn)品型號(hào):1*1cm 所在地:上海市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
銅基底石墨烯(進(jìn)口) 詳細(xì)摘要: 銅基底石墨烯(進(jìn)口) Graphene on Copper Foil制備方法:氣相沉積法化學(xué)氣相沉積石墨烯層:1/2/3~5/6~8尺寸:可定制
產(chǎn)品型號(hào):2*2'' 單層 所在地:上海市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
MoS2 大尺寸二硫化鉬晶體 詳細(xì)摘要: Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor (1.2 eV) but becomes highly lumine...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
稀有晶體:天然二硫化鎢晶體 詳細(xì)摘要: Tungsten disulfide (2H-WS2) crystals are extremely rare in nature and are less t...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
一步轉(zhuǎn)移石墨烯 詳細(xì)摘要: 一步轉(zhuǎn)移石墨烯(進(jìn)口/1*1cm單層) Trivial Transfer Graphene
產(chǎn)品型號(hào):1*1cm單層 所在地:上海市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
n-type MoS2 crystals N型二硫化鉬晶體 詳細(xì)摘要: Zirconium disulfide (ZrS?) is an indirect gap layered semiconductor in the bulk ...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
一步轉(zhuǎn)移石墨烯 詳細(xì)摘要: 一步轉(zhuǎn)移石墨烯(5*5cm單層) Trivial Transfer Graphene
產(chǎn)品型號(hào):5*5cm單層 所在地:上海市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
ZrS2 二硫化鋯晶體 (Zirconium Disulfide) 詳細(xì)摘要: Zirconium disulfide (ZrS?) is an indirect gap layered semiconductor in the bulk ...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
p-type MoS2 crystals P型二硫化鉬晶體 詳細(xì)摘要: More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport (CVT) as w...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
NbS2 二硫化鈮晶體 (Niobium Disulfide) 詳細(xì)摘要: 100% environmentally stable metallic NbS2 (niobium disulfide) crystals: NbS2 dis...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
TiS3 三硫化鈦晶體 詳細(xì)摘要: Anisotropic transition metal trichalcogenide material TiS3 is available at 2Dsem...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
ZrSiS crystals 硫化硅鋯晶體 詳細(xì)摘要: ZrSiS as a theoretically predicted and experimentally proven Dirac semimetal, ex...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
In2S3 crystals 三硫化二銦晶體 詳細(xì)摘要: Gamma layered phase of In2S3 is a direct gap semiconductor with an optical band ...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
NiPS3 crystals 三硫化磷鎳晶體 詳細(xì)摘要: NiPSe3 is a quasi-two-dimensional antiferromagnet in the bulk form while it's ma...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
n-type WS2 crystals N型二硫化鎢晶體 詳細(xì)摘要: 14 years of growth optimization in chemical vapor transport (CVT) as well as flu...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言 -
小尺寸二硫化鉬晶體 10x10mm 詳細(xì)摘要: Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor (1.2 eV) but becomes highly lumine...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:泰州市 更新時(shí)間:2024-06-03 參考價(jià): 面議 在線留言