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詳細(xì)摘要： 單層石墨烯（進(jìn)口） Single Layer Graphene高比表面積石墨烯制備方法：熱剝離還原與氫化還原BET比表面積（平方米/克）：400~1000電阻率...

詳細(xì)摘要： In2Se3 single crystals were grown using Physical vapor transport （PVT） as well a...

詳細(xì)摘要： 單層石墨烯（石墨烯家族）Single Layer Graphene （Graphene Factory）BET比表面積（平方米/克）：650 ~ 750電導(dǎo)率（...

詳細(xì)摘要： Our MoSe2 crystals are grown using two different techniques through chemical vap...

詳細(xì)摘要： 石墨烯納米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets體積特性外觀：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%體積密度：0.10克/毫升水含量：0...

詳細(xì)摘要： 100% environmentally stable metallic NbSe2 crystals: In the bulk form, niobium d...

詳細(xì)摘要： 高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制備方法：改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑：1 ~ 5um厚度：0.8~1...

詳細(xì)摘要： Platinum diselenide （PtSe2） is a member of transition metal dichalcogenide （TMDC...

詳細(xì)摘要： Magnetic semiconductor ZnPSe3 has a monoclinic structure with the factor group C...

詳細(xì)摘要： Our MoSSe alloys with the chemical formula MoS2xSe2（1-x） crystals perfectly crys...

詳細(xì)摘要： Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilities since early 2011 to optimi...

詳細(xì)摘要： Years of growth optimization lead to our flawless n-type MoSe2 crystals through ...

詳細(xì)摘要： 14 years of growth optimization lead to our flawless n-type WSe2 crystals throug...

詳細(xì)摘要： P-type electronically doped Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilitie...

詳細(xì)摘要： Single crystal ReSe? （Rhenium diselenide） crystals are developed at our faciliti...

詳細(xì)摘要： Our WSSe alloys with the chemical formula WS2xSe2（1-x） crystals perfectly crysta...

詳細(xì)摘要： ZrSe2 belongs to group-IV TMDCs family and adopts a stable 2H-hexagonal structur...

詳細(xì)摘要： The only commercially available TlGaSe2 vdW crystals have been synthesized at ou...

詳細(xì)摘要： Bulk PdSe2 （palladium diselenide） has been predicted to exhivit 30 meV band gap ...

詳細(xì)摘要： Single crystal ReSxSe2（1-x） alloy rystals are developed at our facilities using ...