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          SWC4000 掩模版兆聲清洗機

          具體成交價以合同協(xié)議為準
          • 公司名稱 那諾中國有限公司
          • 品牌 其他品牌
          • 型號
          • 產(chǎn)地 美國
          • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
          • 更新時間 2024/8/20 17:06:29
          • 訪問次數(shù) 295

          聯(lián)系方式:吳運祥查看聯(lián)系方式

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          那諾中國有限公司專注于為大中華區(qū)域(包括中國大陸、香港、澳門和中國臺灣)的高校、科研院所、企業(yè)研發(fā)與生產(chǎn)等企業(yè)機構提供高性能、高性價比、定制化的薄膜工藝加工設備及科學分析檢測儀器。


          那諾中國提供美國那諾-馬斯特薄膜工藝加工設備(包含磁控濺射、熱蒸鍍、電子束、PECVD、ALD、PA-MOCVD、RIE、離子束、DRIE、晶圓兆聲清洗機等)。


          那諾中國提供英國KORE基于飛行時間的質(zhì)譜儀,包含飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)、質(zhì)子轉(zhuǎn)移反應(PTR)質(zhì)譜儀、電子轟擊電離(EI)質(zhì)譜儀等。





          ALD,PECVD,RIE,磁控濺射,熱蒸鍍,電子束,離子束,晶圓清洗機,PA-MOCVD,飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)

          產(chǎn)地類別 進口 應用領域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子,制藥

          SWC4000 掩模版兆聲清洗機:兆聲和清洗技術的發(fā)展,對MEMS和半導體等領域的晶圓和掩模版清洗提供了高超的水平,可以幫助用戶獲得干凈的晶圓片和掩模版。


          NANO-MASTER提供兆聲清洗系統(tǒng),使用先進的無損兆聲清洗??梢赃m用于易受損的帶圖案或無圖案的基片,包含帶保護膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達到優(yōu)化的清洗效果,兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的技術確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面,通過分布能量的z大化支持z理想的清洗,同時保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。


          SWC系統(tǒng)提供了可控的化學試劑滴膠能力,這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng),可以*節(jié)省化學試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學試劑混合能力,提供了可控的化學試劑在整個基片上的分布。


          通過聯(lián)合使用化學試劑滴膠和NANO-MASTER的兆聲清洗技術,系統(tǒng)去除顆粒的能力得到進一步優(yōu)化。顆粒從表面被釋放的能力也因此得到提升,從而被釋放的顆粒在幅流的DI水作用下被掃除出去,而把回附的數(shù)量降到了z低水平。從基片表面被去除。如果沒有使用幅流DI水的優(yōu)勢,*進的靜態(tài)可循環(huán)兆聲清洗槽會有更大數(shù)量的顆?;馗?,并且因此需要更多的去除這些顆粒。


          此外,NANO-MASTER的清洗機都還提供了一系列的選配功能。PVA軟毛刷提供了機械的方式去除無圖案基片上的污點和殘膠。DI水臭氧化的選配項提供了有機物的去除,而無須腐蝕性的化學試劑。我們的氫化DI水系統(tǒng)跟兆聲能量結合可以達到納米級的顆粒去除。根據(jù)不同的應用,某些選配項將會進一步提高設備去除不想要的顆粒和殘留物的能力。


          兆聲清洗系統(tǒng)能夠就地實現(xiàn)熱氮或異丙醇甩干?!案蛇M干出” 一步工藝可以在我們的系統(tǒng)中以z低的投資和購置成本來實現(xiàn)。NANO-MASTER清洗機的工藝處理時間可以在3-5分鐘內(nèi)完成,具體是3分鐘還是5分鐘取決于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情況。


          NANO-MASTER的技術也適用于清洗背部以及帶保護膜掩模版前面的對準標記,降低這些掩模版的不必要去除和重做保護膜的幾率。它也可以用于去除薄膜膠黏劑的黏附性并準備表面以便再次覆膜。此外,帶薄膜掩模版的全部正面的兆聲清洗以及旋轉(zhuǎn)甩干可以做到無損并且對薄膜無滲漏。


          SWC4000 掩模版兆聲清洗機應用:

          • 濕法刻蝕

          • 帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片

          • Ge, GaAs以及InP晶圓片清洗

          • CMP處理后的晶圓片清洗

          • 晶圓框架上的切粒芯片清洗

          • 等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗

          • 帶保護膜的分劃版清洗

          • 掩模版空白部位或接觸部位清洗

          • X射線及極紫外掩模版清洗

          • 光學鏡頭清洗

          • ITO涂覆的顯示面板清洗

          • 兆聲輔助的剝離工藝


          特點:

          • 支持12”直徑的圓片或7”x7”方片

          • 獨立系統(tǒng)

          • 無損兆聲,試劑,毛刷清洗及旋轉(zhuǎn)甩干

          • 微處理機自動控制

          • 化學試劑滴膠單元

          • 溶劑與酸分離排廢

          • 熱氮

          • 30”D x 26”W 的占地面積


          選配項:

          • 多系統(tǒng)集成

          • 掩模板或晶圓片夾具

          • 臭氧清洗

          • PVA軟毛刷清洗

          • 高壓DI清洗

          • 氮氣離子發(fā)生器

          • 機械手自動上下載片




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