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          QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)

          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱 廈門韞茂科技有限公司
          • 品牌其他品牌
          • 型號(hào)QBT-A
          • 所在地廈門市
          • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
          • 更新時(shí)間2024/8/22 12:58:51
          • 訪問(wèn)次數(shù) 824

          聯(lián)系方式:蘇治鵬查看聯(lián)系方式

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          廈門韞茂科技有限公司成立于2018年,由硅谷海歸團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立,核心成員擁有超20年薄膜沉積工藝及設(shè)備開(kāi)發(fā)產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),2021年入選高新技術(shù)企業(yè),2022年入選廈門專精特新技術(shù)企業(yè),是一家以納米級(jí)薄膜沉積工藝技術(shù)為核心的多領(lǐng)域全棧式薄膜沉積方案供應(yīng)商,為客戶提供全面的技術(shù)解決方案以及先進(jìn)的納米材料薄膜沉積裝備,針對(duì)先進(jìn)制造國(guó)產(chǎn)化的痛點(diǎn),開(kāi)發(fā)自主設(shè)備。

           

           

          ALD,PVD,CVD,原子層沉積設(shè)備 原子層沉積系統(tǒng)

          產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 100萬(wàn)-150萬(wàn)
          應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
              一、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)核心參數(shù):

              價(jià)格區(qū)間:100萬(wàn)-200萬(wàn)

              產(chǎn)地類別:國(guó)產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

              襯底尺寸:Ф200mm

              工藝溫度:RT-500±1ºC

              前驅(qū)體數(shù):最大可包括3組等離子體反應(yīng)氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體

              重量:300KG

              尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm

              均勻性:均一性<1%

              二、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)應(yīng)用原理分析:

              原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

              等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition,PEALD)是對(duì)ALD技術(shù)的擴(kuò)展,通過(guò)等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強(qiáng)了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性,從而拓展了ALD對(duì)前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求,縮短了反應(yīng)周期的時(shí)間,同時(shí)也降低了對(duì)樣品沉積溫度的要求,可以實(shí)現(xiàn)低溫甚至常溫沉積,特別適合于對(duì)溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

              三、廈門韞茂科技有限公司為您提供參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息,產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂,型號(hào)為QBT-A,價(jià)格為100萬(wàn)-200萬(wàn)RMB,更多相關(guān)信息可咨詢,公司客服電話7*24小時(shí)為您服務(wù)。

              四、主要技術(shù)參數(shù):


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               五、測(cè)試結(jié)果展示:

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