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          培育千億級光芯片產(chǎn)業(yè)集群!廣東重磅發(fā)文

          2024年10月22日 14:14:32來源:化工儀器網(wǎng)點擊:6728
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            【化工儀器網(wǎng) 政策法規(guī)】光芯片是實現(xiàn)光電信號轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)元器件,相較于集成電路,展現(xiàn)出更低的傳輸損耗、更寬的傳輸帶寬、更小的時間延遲以及更強的抗電磁干擾能力,有望帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革式發(fā)展,有力支撐新一代網(wǎng)絡(luò)通信、人工智能、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
           
            10月21日,廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案(2024—2030年)》(以下簡稱《行動方案》),明確力爭到2030年,廣東取得10項以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破,打造10個以上“拳頭”產(chǎn)品,培育10家以上具有國際競爭力的一流領(lǐng)軍企業(yè),建設(shè)10個左右國家和省級創(chuàng)新平臺。
           
            《行動方案》明確,強化光芯片基礎(chǔ)研究和原始創(chuàng)新能力,將鼓勵有條件的企業(yè)、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網(wǎng)絡(luò)、柔性光子芯片、片上光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等未來前沿科學(xué)問題開展基礎(chǔ)研究。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機半導(dǎo)體材料、硅光集成技術(shù)、柔性集成技術(shù)、磊晶生長和外延工藝、核心半導(dǎo)體設(shè)備等方向的研發(fā)投入力度。加大“強芯”工程對光芯片的支持力度,將面向集成電路產(chǎn)業(yè)底層算法和架構(gòu)技術(shù)的研發(fā)補貼、量產(chǎn)前首輪流片獎補等產(chǎn)業(yè)政策,擴展至光芯片設(shè)計自動化軟件(PDA工具)、硅光MPW流片等領(lǐng)域。
           
            針對創(chuàng)新平臺,《行動方案》將依托企業(yè)、高校、科研院所、新型研發(fā)機構(gòu)等各類創(chuàng)新主體,布局建設(shè)一批光芯片領(lǐng)域共性技術(shù)研發(fā)平臺,主要聚焦基礎(chǔ)理論研究和新興技術(shù)、顛覆性技術(shù)攻關(guān)。引進國內(nèi)外戰(zhàn)略科技力量,培育一批產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、技術(shù)創(chuàng)新中心、制造業(yè)創(chuàng)新中心、企業(yè)技術(shù)中心、工程研究中心、重點實驗室等創(chuàng)新平臺,主要聚焦光芯片關(guān)鍵細分環(huán)節(jié)。
           
            大力培育領(lǐng)軍企業(yè)方面,《行動方案》提出,一是支持引進和培育一批領(lǐng)軍企業(yè)。圍繞光芯片關(guān)鍵細分領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié),引進一批匯聚全球資源、在細分領(lǐng)域占據(jù)引領(lǐng)地位的領(lǐng)軍企業(yè)和新物種企業(yè)。支持有條件的光芯片企業(yè)圍繞產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié)進行并購整合,加快提升業(yè)務(wù)規(guī)模。二是支持孵化和培育一批科技型初創(chuàng)企業(yè),鼓勵半導(dǎo)體及集成電路頭部企業(yè)發(fā)揮產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)優(yōu)勢,延伸布局光芯片相關(guān)領(lǐng)域。三是支持龍頭企業(yè)加強在粵布局。支持光芯片龍頭企業(yè)加大在粵的研發(fā)和產(chǎn)線布局,加快形成光芯片產(chǎn)業(yè)集群。
           
            《行動方案》還提到,圍繞光芯片前沿理論和技術(shù)問題開展基礎(chǔ)攻關(guān)和研發(fā)布局。支持企業(yè)、高校、研究機構(gòu)等圍繞光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片、光量子芯片、超靈敏光傳感探測芯片、光電異質(zhì)異構(gòu)混合集成芯片、微腔光電子芯片、冪次增長算力光芯片等技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)布局,努力實現(xiàn)原理性突破、原始性技術(shù)積累和開創(chuàng)性突破。
           
            此外,《行動方案》提出,推進光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造,大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設(shè)備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡(luò)測試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)等,落實工業(yè)設(shè)備更新改造政策,加快光芯片關(guān)鍵設(shè)備更新升級。

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