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JSM-7800F Prime采用新開發(fā)的超高分辨率GBSH模式，達(dá)到了世界zui高水準(zhǔn)的分辨率。浸沒式肖特基Plus電子槍，將zui大探針電流從200nA提高到了500nA。
浸沒式肖特基Plus場發(fā)射電子槍 電子槍和低像差聚光鏡的優(yōu)化組合，實現(xiàn)了更高的亮度，能有效采集電子槍中發(fā)射的電子，即使在低加速電壓下也能獲得數(shù) pA～數(shù)10 nA 探針電流，保持zui小的物鏡光闌就可以進(jìn)行納米尺寸的高分辨率觀察、快速元素面分布及EBSD分析。 |  |
 | 利用GBSH(GENTLE BEAM SUPER HIGH RESOLUTION)觀察樣品表面以前的GB※模式經(jīng)過改進(jìn)后，可以對樣品施加更高的電壓，這樣在低加速電壓下也能獲得超高分辨率的圖像。從樣品的淺表面觀察到納米尺寸的元素分析，GBSH能根據(jù)各種不同的應(yīng)用選擇加速電壓?！鵊entle Beam(GB) 通過給樣品加以偏壓(GB)，對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。 |
通過GENTLE BEAM （即柔和光束GB模式）觀察樣品的淺表面給樣品加以偏壓(GB)，對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。即使入射電子束到達(dá)樣品時的能量很低，也可以獲得高分辨率、高信噪比的圖像。如果利用能施加更高偏壓的GB模式，用數(shù)十電子伏能量的入射電子束，就可以進(jìn)行更高分辨率的觀察。 |  |
 | 通過多個檢測器獲取樣品的所有信息JSM-7800F配有四種檢測器：高位檢測器(UED) 、高位二次電子檢測器(USD)、背散射電子檢測器(BED)和低位檢測器(LED)。UED過濾器的電壓不同，二次電子和背散射電子的數(shù)量會改變，因此可以選擇電子的能量，USD檢測被過濾器彈回的低能量電子，BED通過檢測低角度的背散射電子，能清楚地觀察通道襯度。利用LED的照明效果能夠獲得含有形貌信息的、富有立體感的圖像。 |
應(yīng)用實例
利用GBSH進(jìn)行觀察 JSM-7800F Prime 標(biāo)配了GBSH模式。下圖是高定向熱解石墨(HOPG)解理面的二次電子像，到達(dá)樣品時的能量為1keV，左圖中樣品偏壓為-2kV，右圖中樣品偏壓為-5kV。 可以看出利用GBSH(樣品偏壓-5 kV)模式觀察，HOPG的微細(xì)結(jié)構(gòu)更加清晰，達(dá)到的分辨率更高。 | |
 |  |
以前的技術(shù) 樣品偏壓2KV | 技術(shù) 樣品偏壓5KV |
產(chǎn)品規(guī)格
| 分辨率 | 0.7 nm(15 kV) 0.7 nm(1 kV) 3.0 nm (15kV、5nA、WD10mm) |
| 倍率 | ×25 ～ ×1,000,000(SEM) |
| 加速電壓 | 0.01kV ～ 30kV |
| 樣品照射電流(探針電流) | 數(shù)pA～500nA |
| 自動光闌角*控制透鏡 | 內(nèi)置 |
| 檢測器 | 高位檢測器(UED) 低位檢測器(LED) |
| 能量過濾器 | UED過濾器電壓可變功能內(nèi)置 |
| Gentle Beam （GB模式即柔和光束） (樣品偏壓) | 內(nèi)置 |
| 數(shù)字圖像 | 1,280 x 960 像素, 800 x 600 像素 |
| 樣品交換室 | 由TYPE2A構(gòu)成 |
| 樣品臺 | 全對中測角樣品臺、5軸馬達(dá)驅(qū)動 |
| X-Y | X:70mm, Y:50mm |
| 傾斜 | －5 ～ ＋70° |
| 旋轉(zhuǎn) | 360° |
| 工作距離 | 2mm to 25mm |
| 真空系統(tǒng) | SIP 2臺、TMP、RP |
| 節(jié)能設(shè)計 | 正常運行時: 1.3kVA 節(jié)能模式時: 0.8ｋV |
JSM-7800F的物鏡采用的是靜電場和靜磁場疊加的超級混合式物鏡(SHL)，由于減少了色差及球差，極大地提高了低加速電壓下的分辨率。此外，SHL不會對樣品形成磁場影響，因此觀察磁性材料的樣品和進(jìn)行EBSD測試可以不受制約。
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