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小王子分享關于半導體曝光設備的價格
半導體光刻設備目前對于半導體的高效量產(chǎn)來說是，但據(jù)稱它是精密的機器，而且價格昂貴。
半導體曝光設備中使用的光源的波長越短，可以形成的圖案越精細，并且曝光設備變得越昂貴。據(jù)稱每個波長的成本為i-line約4億日元、KrF約13億日元、ArF干式約20億日元、ArF浸沒式約60億日元、EUV約200億日元。
電路越小，可以實現(xiàn)越快的信號傳輸和節(jié)能，但近年來，由于小型化，無法忽視工藝成本的增加，包括半導體曝光設備的價格。
就半導體光刻設備所需的性能而言，從半導體制造的成本角度來看，半導體光刻設備的吞吐量也是一個重要指標。吞吐量是表示電路圖案曝光速度的性能，隨著吞吐量的增加，每個硅芯片的制造成本（運行成本）會降低。這在半導體芯片的大規(guī)模生產(chǎn)過程中非常重要。
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