交流/直流電源端口的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)特性
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)用于交流/直流電源端口的試驗。 電路圖(以三相供電電源為例)在圖4中給出。
典型耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)特性如下:
——鐵氧體的去耦電感 >100μH;
——耦合電容 33 nF。
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)特性校準(zhǔn)
GB_T17626.4標(biāo)準(zhǔn)中6.2.3給出的測量設(shè)備也應(yīng)用于耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)特性的校準(zhǔn)。
應(yīng)使用符合6.2.3要求的發(fā)生器校準(zhǔn)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)(關(guān)于校準(zhǔn)的不確定度參見附錄C)
應(yīng)在共模耦合方式下校準(zhǔn)波形,即將瞬態(tài)脈沖同時耦合到所有線。對每個耦合線,應(yīng)在耦合/去耦 網(wǎng)絡(luò)的每個輸出端(L1·L2·L3 ,N和PE)連接50Ω端對參考地分別校準(zhǔn)波形。下圖出了5個校準(zhǔn) 測量之一,即L1對參考地校準(zhǔn)。
注1:對每個耦合線分別進(jìn)行驗證,確保每根線功能正常且被校準(zhǔn)。
注意應(yīng)使用同軸適配器連接CDN的輸岀。
CDN的輸出和同軸適配器之間的連接應(yīng)盡可能短,不超過0.1m.
將發(fā)生器的輸出電壓設(shè)置為標(biāo)稱值4kV,然后進(jìn)行校準(zhǔn)。發(fā)生器連接到耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的輸入端。 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的每個輸出端(通常連接到EUT)依次端接一個50Ω端負(fù)載,其他輸出端開路。記錄每個極性的峰值電壓和波形。
脈沖的上升時間應(yīng)為(5.5±l.5)ns。
脈沖寬度應(yīng)為(45±15)ns。
按照表2,峰值電壓應(yīng)為(2士O.2)kV。
注2:以上顯示的值為CDN校準(zhǔn)方法的結(jié)果。
斷開受試設(shè)備和供電網(wǎng)絡(luò)的連接,發(fā)生器設(shè)置在4 kV,耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)設(shè)置在共模耦合.即把瞬變 脈沖同時耦合到所有線路,每個輸入端子(L,L2,L3,N到PE)分別端接50 Q時,在耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)電
源輸入端測量的剩余電壓不應(yīng)超過400 V。
容性耦合夾概述
耦合夾能在與受試設(shè)備端口的端子、電纜屏蔽層或受試設(shè)備的任何其他部分無任何電連接的情況 下將電快速瞬變脈沖群耦合到受試線路。
耦合夾的耦合電容取決于電纜的直徑、材料和屏蔽(如果存在)。
該裝置由蓋住受試線路電纜(扁平型或圓型)的夾板(例如用鍍鋅鋼、黃銅、銅或鋁板制成)組成,并 且應(yīng)放置在接地參考平面上。接地參考平面的周邊至少應(yīng)超出耦合夾0.1 m。
耦合夾的兩端應(yīng)具有高壓同軸連接器,其任一端均可與試驗發(fā)生器連接。發(fā)生器應(yīng)連接到耦合夾接近受試設(shè)備的那一端。
當(dāng)耦合夾只有一個高壓同軸連接器,則高壓同軸接頭端應(yīng)離受試設(shè)備最近。
耦合夾本身應(yīng)盡可能地合攏,以提供電纜和耦合夾之間最大的耦合電容。
圖6給出了耦合夾的機(jī)械結(jié)構(gòu).應(yīng)使用以下的尺寸:
——底部耦合板高度:(100±5)mm;
底部耦合板寬度:(140±7)mm;
——底部耦合板長度:(1000±50)mmo
對在信號和控制端口上的連接線的試驗要采用耦合夾的耦合方式。只有當(dāng)6.3定義的耦合/去耦 網(wǎng)絡(luò)不適用時,耦合夾的耦合方式也可用于電源端口的試驗(見7.3.2.1)。
容性耦合夾
容性耦合夾的校準(zhǔn)
6.2.3給出的測量設(shè)備也應(yīng)用于容性耦合夾特性的校準(zhǔn)。
應(yīng)將一塊感應(yīng)板(如圖7)插入耦合夾中,并用由低電感接地的連接適配器接到測量終端或衰減器。 布置如圖8所示。
感應(yīng)板為一塊120 mmX 1050 mm且厚度最大為0.5 mm的金屬片,其正、反用0.5 mm厚的介質(zhì) 板絕緣。為避免耦合夾與感應(yīng)板接觸,感應(yīng)板所有面的絕緣材料應(yīng)至少耐壓2.5 kVo其一端通過最長 為30 mm長的低阻抗連接與適配器相連接。感應(yīng)板應(yīng)放置在容性耦合夾中,連接端應(yīng)與底部耦合板邊 緣對齊。連接適配器應(yīng)通過低阻抗接到參考地平面,用于50 C同軸測量終端或衰減器接地。感應(yīng)板和 50 Q測量終端或衰減器之間的距離不應(yīng)超過0.1 m。
注:上耦合板與感應(yīng)板之間的間隙是不重要的。
校準(zhǔn)波形應(yīng)使用一個單獨的50Ω終端。
應(yīng)使用符合6.2.2和6.2.3要求的發(fā)生器校準(zhǔn)容性耦合夾。
進(jìn)行校準(zhǔn)時發(fā)生器輸出電壓設(shè)定為2 kV。
發(fā)生器連接到容性耦合夾輸入端。
記錄位于耦合夾另一端的感應(yīng)板輸出峰值電壓與波形參數(shù)。
波形特性應(yīng)符合以下要求:
•上升時間(5±1.5)ns;
•脈沖寬度(50 士 15)ns;
•峰值電壓(1000 士 200)V。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。