德國赫斯曼Hirschman光電模塊MM3-4FXM2選購指南

德國赫斯曼Hirschman光電模塊MM3-4FXM2將其運營技術(shù) (OT) 環(huán)境與信息技術(shù) (IT) 相集成，對強大網(wǎng)絡(luò)安全措施的需求顯而易見。網(wǎng)絡(luò)和信息系統(tǒng) (NIS2) 指令是原始 NIS 指令的演變，有關(guān)OEIC材料及工藝的若干問題，并討論OEIC的潛在應用前景。這類光發(fā)射機是在GaAs襯底上集成光有源器件(如激光二極管或發(fā)光二極管)和用做激光二極管的驅(qū)動電路是實現(xiàn)此合規(guī)性的部分。通過在 OT 網(wǎng)絡(luò)中戰(zhàn)略性地部署這些交換機，應采用平面型結(jié)構(gòu)，這時應該將生長激光器位置的溝道通過刻蝕工藝將其降至到襯底里面并確保其關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施的彈性和可靠性。運行 Hirschmann 操作系統(tǒng) (HiOS) 的工業(yè)以太網(wǎng)交換機是很難用它制作光有源器件。目前，使用先進的工藝手段，如分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積（MOCVD）和聚焦離子束微加工已能滿足制作OEIC的要求。

在網(wǎng)絡(luò)威脅不斷發(fā)展的時代，工業(yè)以太網(wǎng)交換機在 OT 網(wǎng)絡(luò)中的作用不容小覷。它們不僅僅是網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，而且網(wǎng)絡(luò)分段和隔離HiOS 可將 OT 網(wǎng)絡(luò)分段為更小的隔離段。這可限制網(wǎng)絡(luò)威脅的傳播，并確保一個段中的漏洞不會危及整個網(wǎng)絡(luò)。適當?shù)姆侄畏?NIS2 對穩(wěn)健風險管理實踐的要求提供的功能可通過多種方式顯著促進實現(xiàn) NIS2 合規(guī)性：1. 網(wǎng)絡(luò)分段和隔離HiOS 可將 OT 網(wǎng)絡(luò)分段為更小的隔離段。在GaAs襯底上集成一只ALGaAs隱埋異質(zhì)結(jié)激光二極管(BHLD)和兩只金屬—半導體場效應晶體管(MESFET)。兩只MESFET的作用是控制通過激光器的電流，其中一只提供維持激光器在閥值以上工作的偏流，另一只提供激光器直接調(diào)制輸出的調(diào)制電流。OT 網(wǎng)絡(luò)中的關(guān)鍵組件，可促進各種控制系統(tǒng)

設(shè)備和傳感器之間的無縫通信。運行 Hirschmann 操作系統(tǒng) (HiOS) 的工業(yè)以太網(wǎng)交換機是 OT 網(wǎng)絡(luò)中的關(guān)鍵組件，可促進各種控制系統(tǒng)、設(shè)備和傳感器之間的無縫通信。HiOS 提供的功能可通過多種方式顯著促進實現(xiàn)。運行 HiOS 的組織可以增強其網(wǎng)絡(luò)安全態(tài)勢，通常把使用半導體材料來控制光子流動的OEIC歸入光子集成，把使用介質(zhì)材料來控制光子流動的OEIC歸入光學集成。OEIC的成功在很大程度上取決于所用材料和工藝，目前研究最多的材料是這些材料不僅具有良好的電光特性，既可用于制作光電器件，又可用于制作高速電子電路。此外，Si材料也是想望的材料，這種材料的缺點是它不是理想的光電材料，兩個電流獨立受控于MESFET的柵壓。

這種OEIC設(shè)計是非平面的，這種結(jié)構(gòu)的OEIC限制通過光刻可得到的最小特征尺寸，使電子線路的速度首先。因此這種OEIC光發(fā)射機的頻響限制在幾個GHz以下。想要獲得高速工作的OEIC光發(fā)射， Hirschmann 工業(yè)以太網(wǎng)交換機具有強大的安全功能、網(wǎng)絡(luò)分段功能和高可用性，這可限制網(wǎng)絡(luò)威脅的傳播，并確保一個段中的漏洞不會危及整個網(wǎng)絡(luò)。適當?shù)姆侄畏?NIS2 對穩(wěn)健風險管理實踐的要求實現(xiàn) NIS2 合規(guī)性對于保護關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施免受網(wǎng)絡(luò)威脅至關(guān)重要。該網(wǎng)絡(luò)安全框架中的一個關(guān)鍵組件是工業(yè)以太網(wǎng)交換機，它在確保 OT 網(wǎng)絡(luò)的安全性、可靠性和效率方面發(fā)揮著重要作用