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Si晶片和化合物晶片的高速加熱裝置介紹
臺(tái)式燈加熱器 MILA-5050
該設(shè)備是一種臺(tái)式燈加熱設(shè)備，可以對(duì)最大 50 平方毫米的樣品進(jìn)行熱處理。
自 MILA-5000 系列臺(tái)式燈加熱器作為樣品尺寸達(dá) 20 平方毫米的加熱裝置推出以來(lái)，已被許多客戶使用。 50 平方毫米，同時(shí)保持集成加熱爐、腔室和溫度控制器的緊湊型機(jī)身。
自 MILA-5000 系列臺(tái)式燈加熱器作為樣品尺寸達(dá) 20 平方毫米的加熱裝置推出以來(lái)，已被許多客戶使用。 50 平方毫米，同時(shí)保持集成加熱爐、腔室和溫度控制器的緊湊型機(jī)身。
用途
Si晶片和化合物晶片的高速加熱
光學(xué)CVD基板加熱等電子材料的高速加熱
玻璃基板、陶瓷、復(fù)合材料等的熱處理。
熱循環(huán)測(cè)試
金屬材料的退火
涂膜耐熱性評(píng)價(jià)
有機(jī)材料和樹脂的加熱和干燥
特征
熱處理可達(dá)到 50 平方毫米的樣品尺寸
最高溫度1200℃
可高速加熱和冷卻的紅外金像 臺(tái)式加熱裝置，集成加熱室和溫度控制器
您可以輕松設(shè)置溫度程序并從個(gè)人計(jì)算機(jī)輸入外部信號(hào)。
可以在個(gè)人電腦上顯示加熱過程中的溫度數(shù)據(jù)。
規(guī)格
| 溫度范圍 | 室溫～1200℃ |
|---|---|
| 升溫速率 | 50℃/秒 |
| 樣品尺寸 | 正方形 50 或 φ 50 毫米 x 厚度 5 毫米 |
| 加熱氣氛 | 在真空中，在各種氣流中 |
* 真空排氣裝置是一個(gè)選項(xiàng)
* 加熱溫度因被加熱材料的紅外反射/吸收、熱容量和材料而異。
測(cè)量數(shù)據(jù)
① 500℃，Δt=3.2℃
② 800℃，Δt=0.6℃
③ 1000℃，Δt=4.2℃
④ 1200℃，Δt=2.6℃
相關(guān)產(chǎn)品
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