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          制備方法對測量熱噴涂層孔隙率的影響

          來源:上海西努光學(xué)科技有限公司   2021年09月27日 15:11  

          100多年來,熱噴涂層以其多種形式而存在。熱噴涂的原理非常簡單——原料通常以粉末或金屬絲的形式存在,對其進行加熱使其部分或*熔化,并以高速噴射向基材使得顆粒在撞擊時發(fā)生變形,在此過程中,顆粒發(fā)生凝固并機械結(jié)合到基材表面。
          這其中涂層孔隙率是描述涂層密度的重要指標(biāo),通常采用金相法制備樣品并進行孔隙率的測量。然而,長期以來的實踐已經(jīng)證實,在尋找合適的制備方法以及不同實驗室間重復(fù)同種方法得到的結(jié)果卻并不相同。
          *近的一項“循環(huán)”實驗證明了實驗室之間的差異。

          實驗邀請了在金相制備和樣品分析方面有著豐富經(jīng)驗的技術(shù)工作人員,但不同參與者之間測得的孔隙率值差異很大,任何實驗室均可實現(xiàn)良好的結(jié)果可重復(fù)性。這意味著在多孔熱噴涂層的制備和分析中,方法變化是導(dǎo)致誤差的主要因素。

          實驗方法:

          我們對T800(HVOF)涂層和WC-Co(等離子噴涂)涂層進行了取樣?;贏STM E1920-03(2014)中推薦的方法I和II進行了實驗,選擇這些方法是因為它們代表了工業(yè)中*常見的方法,也是普遍接受的制備標(biāo)準(zhǔn)。方法I是在短時間內(nèi)使用一系列SiC紙,然后在Trident布上進行制備階段,*后使用膠體氧化硅在絨布上進行拋光。方法II僅采用一個SiC研磨步驟,然后在無絨毛拋光布上進行兩次金剛石拋光,再用膠體氧化硅進行拋光。

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          這些實驗旨在分別觀察這兩種方法中切割、鑲嵌和研磨對實測孔隙率的影響。


          切割和研磨的影響:

          金相法很難表征切割損傷對樣品的影響,但目前*建議精密切割機配合金剛石切割片的方法切割樣品。在本實驗中將先切割后鑲嵌的樣品與先鑲嵌后切割(可在切割過程中保護涂層)的樣品進行比較。兩組樣本均使用IsoMet高速精密切割機(圖1)。

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          兩組試樣均采用方法II制備,并對孔隙率進行分析。然后重復(fù)步驟1六次(每次1分鐘)重新研磨試樣,以確保去除任何殘余的切割損傷,然后和之前一樣重復(fù)步驟2-4。之后再次分析樣品的孔隙率。

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          圖2顯示了孔隙率分析結(jié)果。我們可以看到,在初步制備之后,先切割后鑲嵌樣品的孔隙率明顯更高。在重新研磨和重復(fù)制備步驟后,該樣品中測得的孔隙率明顯下降。與之相反,先鑲嵌后切割樣品中測得的孔隙率在統(tǒng)計上保持相同。我們可從該圖中得出以下結(jié)論:

          1、切割前鑲嵌樣品可保護其免受損傷 ;

          2、可以通過充分研磨來去除切割產(chǎn)生的損傷,以獲得相同的孔隙率結(jié)果 ;


          鑲嵌材料的影響:

          本實驗選取T800HVOF樣品,均鑲嵌在單個樣品模具內(nèi),采用中心力加載,并使用方法I和方法II制備的樣品組。

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          對于這兩種較硬的材料,方法I不如方法II有效,尤其是在鑲嵌樹脂內(nèi)加入陶瓷顆粒增強的樣品中更為明顯。由于陶瓷的磨削率較低,陶瓷對SiC具有鈍化作用,研磨拋光過程中的去除率會大大降低。

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          完成測試后發(fā)現(xiàn):

          低粘度環(huán)氧樹脂表現(xiàn)更好,丙烯酸鑲嵌(SamplKwick)的結(jié)果較差。

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          制備方案:

          為了觀察制備方法的直接效果,對WC-Co(等離子噴涂)涂層進行取樣,遵循實踐總結(jié)的*佳建議,鑲嵌兩組樣品,如下所示:

          1、清潔/脫脂樣品:用水沖洗樣品,然后在乙醇中浸泡10分鐘以吸收孔隙中的水分

          2、*干燥。不要用裸露的皮膚接觸樣品,以免沾染油污

          3、使用EpoThin樹脂鑲嵌樣品并在SimpliVac中真空浸漬

          4、在Isomet HS高速切割機上切割樣品

          5、以所需方向重新鑲嵌切割樣品

          6、在中心力夾具中制備所有樣品,以獲得*大的平整度和重現(xiàn)性

          我們發(fā)現(xiàn)制備后的樣品孔隙率與圖2中所示的非常相似(對于先鑲嵌后切割的樣品)。在制備過程中,我們在每個階段分析了樣品的孔隙率,結(jié)果如下圖6所示。

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          我們可以看到,在制備過程中,使用方法I的孔隙率水平幾乎沒有變化,樣品制備階段孔隙率的損傷沒有被有效地去除。我們延長了制備流程中的每個階段并定期檢查孔隙率水平,直到每個階段的測量值保持穩(wěn)定。這有效地向我們展示了制備步驟的持續(xù)時間以及與之相關(guān)的損傷程度。在這個特定的樣品中,9um步驟拋光后的孔隙率水平通常為12-15%。使用標(biāo)準(zhǔn)的ASTM方法并未有效減少這種情況,延長9μm/800grit步驟也未帶來顯著改變。然而,當(dāng)我們延長3μm拋光步驟時,孔隙率明顯下降。

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          然后我們在TexMet C布上添加1um拋光步驟并繼續(xù)跟蹤視孔隙率,直到保持穩(wěn)定,然后按照表I和表II進行*終拋光。圖7顯示了通過這種改良方法II進行制備的孔隙率分析,如表4所示。可以明顯看出視孔隙率已大大降低。

          此過程的圖像如圖8所示:

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          結(jié)論:

          按照嚴(yán)格的方法制備試樣可能會產(chǎn)生高度可重復(fù)的結(jié)果,但也可能會產(chǎn)生可重復(fù)的錯誤結(jié)果。圖2中的方法I和方法II比較證明了這一觀點。使用表4中的改良方法可以觀察到準(zhǔn)確孔隙率水平。 從實驗中可以看出,切割、鑲嵌及磨拋過程都影響著孔隙率的測量,需要根據(jù)每一個樣品的具體情況,找到*優(yōu)的制備方法,從而得到后續(xù)孔隙率測量的準(zhǔn)確值。標(biāo)樂應(yīng)用實驗室與我們的客戶攜手合作,每年在我們的全球應(yīng)用實驗室中開發(fā)出數(shù)百種*、有效而可靠的制備方法。每一個解決方案均是個性化定制,從而確保制備解決方案具有上等的質(zhì)量和高度的穩(wěn)定性。

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