位置傳感器SU,新設(shè)備在暴露于紫外線和/或極紫外輻射后可提供高度穩(wěn)定的響應(yīng)。它采用TO-8無窗口封裝,可大程度減少暴露于強(qiáng)烈的UV/EUV光子后二極管的響應(yīng)度變化。ODD-SXUV-DLPSD的有效面積為5 mm x 5 mm,非常適合光刻應(yīng)用以及需要使用200 nm以下波長的任何定位應(yīng)用。
連續(xù)位置檢測光電二極管設(shè)計(jì)用于位置檢測1 nm至400 nm波長的光。在13 nm處的響應(yīng)度通常為0.20 A/W;254 nm的響應(yīng)度通常為0.02 A/W。在工作條件下,暗電流為10(典型值)和50(max.)nA。新的ODD-SXUV-DLPSD具有反向擊穿電壓,min.50伏,電容為40(典型值)至60(max.)pF。操作和存儲溫度范圍從-10℃到40℃(環(huán)境溫度)和-20℃到80℃(在氮?dú)饣蛘婵諚l件下)。結(jié)溫為max.70℃,引線焊接溫度為0.080英寸,距外殼10秒鐘為260℃。
參數(shù):
活動區(qū)域:25 mm2
響應(yīng)度R@13nm:0.20 A/W
響應(yīng)度R@254nm:0.02 A/W
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