磷化銦(InP)是由銦(In)和磷(P)組成的二元半導(dǎo)體,屬于一組通常稱為III-V半導(dǎo)體的材料。與硅和砷化鎵等更常見的半導(dǎo)體相比,磷化銦具有*的電子速度,常用于制造高功率和高頻率電子器件。
磷化銦晶圓加工
磷化銦具有與砷化鎵GaAs和大多數(shù)III-V半導(dǎo)體幾乎相同的面心立方晶體結(jié)構(gòu)。磷化銦晶圓必須在器件制造之前準(zhǔn)備好,所有III-V晶圓必須重疊以消除切片過程中發(fā)生的表面損傷。然后晶片被化學(xué)機(jī)械拋光/分層(CMP)用于終材料去除階段,從而允許獲得具有原子尺度的超平坦粗糙度的鏡像表面。
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