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          作為質(zhì)譜法電離源的電感耦合等離子體的是如何生成的

          閱讀:2024      發(fā)布時間:2019-4-11
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          自從 PerkinElmer-SCIEX 公司于 1983 年商品化電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)以來,它就成為了發(fā)展快的痕量元素檢測技術(shù),覆蓋了多個應(yīng)用領(lǐng)域。隨著中心抽頭接地線圈的設(shè)計突破,我們克服了 ICP 源與質(zhì)譜儀成功聯(lián)結(jié)的障礙,從而將等離子體電勢降至低,消除了等離子體與接地 MS 接口之間的二次放電問題。等離子體射頻發(fā)生器進(jìn)一步發(fā)展后出現(xiàn)了*的不同步設(shè)計,在無活動部件的情況下,這種設(shè)計可以通過細(xì)微的頻率變化實現(xiàn)等離子體阻抗變化的即時匹配。另外,通過電平衡與地面電勢有關(guān)的等離子體使等離子體電勢保持在低水平。

           

          電感耦合等離子體是在三個同軸石英管組成的外管,即我們所說的炬管內(nèi)形成的部分電離熱氣體區(qū)域。圖 1 為正在運(yùn)行的 ICP 炬管組成示意圖。氬氣以不同的流速流過三個石英管,從而起到生成等離子體,冷卻和保護(hù)高溫等離子體下的石英炬管表面的功能,后將氣溶膠樣品引入等離子體的中心通道。

          炬管頂端被與射頻(RF)發(fā)生器相連的感應(yīng)線圈(也叫加感線圈)包圍。感應(yīng)線圈一般是由盤繞的銅管組成,由流經(jīng)線圈的冷卻劑進(jìn)行氣體冷卻或液體冷卻。線圈在高電壓下放電,使得流經(jīng)感應(yīng)線圈圍繞區(qū)域的下游氣體中產(chǎn)生電子和氬離子。電磁場與離子和電子的互動使其加速。但因為和陽離子相比,電子的質(zhì)量輕得多,所以電子獲得了更高的速度,從而在等離子體的碰撞過程中起到主導(dǎo)作用。電子與氬原子發(fā)生碰撞,產(chǎn)生足夠的能量傳遞,更多氬原子的電離伴隨著更多電子的釋放,這些電子接下來又將參與碰撞過程。當(dāng)電子從原子釋放的速率等于電子與粒子重新結(jié)合的速率時,點(diǎn)火后等離子體短暫維持。后續(xù)過程涉及光子形式的能量釋放,通過氬線光譜的疊加,光子產(chǎn)生等離子體連續(xù)發(fā)射。

           

          射頻磁場的大部分能量耦合于類似于“環(huán)狀線圈”形狀的等離子體外區(qū),其溫度可高達(dá) 10,000 K,但中心管區(qū)域的溫度一般只有大約 5000 至 7000 K,這取決于等離子體的工作條件。圖 2 顯示的是氬 ICP 內(nèi)的模擬溫度場,演示了等離子體內(nèi)的熱不均勻性。因此不能假定 ICP 處于熱力學(xué)平衡,因為包括電離、重組和激發(fā)在內(nèi)的碰撞過程的性質(zhì)從本質(zhì)上而言各不相同。但可以放心地假定部分局部熱力學(xué)平衡,在電離溫度(Tion)、氣體動態(tài)學(xué)溫度(Tgas)、電子溫度(Te)、激發(fā)溫度(Texc)和轉(zhuǎn)動溫度(Trot )的基礎(chǔ)上描繪 ICP 的特征。

           

          圖 1 還詳細(xì)給出了每個液滴膠在等離子體中生成離子云的過程。氣溶膠樣品的液滴在等離子體中的停留時間內(nèi)經(jīng)歷了一系列的去溶劑化、汽化、原子化和離子化過程。我們在思考由這些過程主導(dǎo)的等離子體區(qū)域時非常清晰明了,但實際上氣溶膠樣品不是由單分散液滴組成的,而是包含各種尺寸的液滴分布。因此我們認(rèn)為這些區(qū)域在一定程度上重疊。除了上述過程以外,蒸汽樣品的擴(kuò)散和等離子體中產(chǎn)生的離子云可能明顯影響信號的強(qiáng)度。通常在等離子體這個點(diǎn)的周圍的信號是強(qiáng)的,此時汽化和離子化過程幾近完成,但擴(kuò)散仍是這一過程的主導(dǎo)因素。除了液滴尺寸以外,等離子體中的這些過程的持續(xù)時長很大程度上取決于操作條件,例如等離子體取樣深度、等離子體功率、霧化器氣體流速和內(nèi)管直徑。

          ICP-MS 的理想射頻發(fā)生器的重要屬性

          任何射頻發(fā)生器的主要功能都是向加感線圈發(fā)出一個帶有邊界和穩(wěn)定的交流電,從而點(diǎn)燃和維持可靠的等離子體。為了使射頻功率與等離子體的傳輸效率大化,源阻抗(即發(fā)生器)和負(fù)荷(即等離子體源)必須匹配,形成一個單獨(dú)的電路。這叫做共鳴或阻抗匹配條件。電路的阻抗(Z)取決于操作頻率,并有一個實數(shù)(電抗)部分和虛數(shù)(無功)部分定義相位關(guān)系,用笛卡爾術(shù)語表示為: Z = R + jX 式中,j是虛數(shù)項(√ -1),R和X分別是電阻(Ω)和電抗(Ω),定義阻抗的實數(shù)部分和虛數(shù)部分。

           

          等離子體的阻抗是一個動態(tài)變量,會隨著變化著的等離子體操作條件快速變化,例如射頻功率、氣體流速、氣體類型、樣品/蒸汽荷載、樣品類型、操作頻率和采樣深度。發(fā)生器電路系統(tǒng)可以快速檢測出負(fù)載阻抗的變化并對其作出反應(yīng),這個功能十分重要,可以將反射功率降至低并能維持穩(wěn)健的等離子體條件。這一特征將通過操作頻率的細(xì)微變化基于瞬時阻抗匹配的設(shè)計方法與依靠相對較慢和易發(fā)生故障的活動部件的設(shè)計方法區(qū)分開來,例如在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的伺服驅(qū)動電容器。

           

          射頻發(fā)生器的另一個重要之處就是發(fā)生器驅(qū)動加感線圈的方式。如果輸出射頻驅(qū)動器是單端型,加感線圈的一端總與地面相連,則我們稱這種發(fā)生器為不平衡的射頻驅(qū)動源。這種電路系統(tǒng)產(chǎn)生的等離子體表現(xiàn)出相對較高的等離子體電勢,這可能導(dǎo)致等離子體和質(zhì)譜儀的接地采樣錐之間發(fā)生二次放電。降低等離子體電勢的機(jī)械方法包括使用交錯的加感線圈(本質(zhì)上是接地極性相反的兩股纏繞的加感線圈),或使用靜電屏蔽矩作為加感線圈和等離子體之間的接地屏蔽。如果發(fā)生器使用兩個相同但 180°反相的射頻輸出驅(qū)動加感線圈,則我們稱這種發(fā)生器為平衡的射頻源。這 個 方 法 首 先 由 PerkinElmer-SCIEX 公 司 研 發(fā), 并 以 “PlasmaLok”為商標(biāo)名獲得zhuanli。兩個相反波形輸出之間的相位關(guān)系在加感線圈的電氣中心生成了虛擬接地。無論等離子體的操作條件如何(例如,內(nèi)管流速、等離子體功率、基質(zhì)組成),采用這種設(shè)計方法的等離子體電勢被降至低,因此在定義等離子體種類時并非占據(jù)重要地位。因此可以單獨(dú)優(yōu)化等離子體操作條件和離子光學(xué)。其他屬性,例如功率傳輸效率、尺寸、簡易性、冷卻方案、強(qiáng)度、消耗品、維護(hù)性和高低射頻功率極限的快速切換依然對射頻發(fā)生器的設(shè)計起著重要的作用。

           

           

           

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