實(shí)現(xiàn)了通用存儲器、磁頭等磁性材料中使用的B的高靈敏度分析。使用FP法，還可以同時分析膜厚和成分。

可進(jìn)行超薄膜分析

MgO 薄膜是 MRAM 的重要材料，可以高精度地區(qū)分 0.1 nm 的膜厚差異。預(yù)計(jì)未來薄膜將變得更薄至 0.5 nm 左右，但 AZX 400 將能夠進(jìn)行足夠的分析。

多層膜分析

通過使用 FP 方法，AZX 400 可以對最多 10 層層壓薄膜進(jìn)行全層分析。利用 STT-MRAM，可以在一種配方中分析 MgO 和 CoFeB 等重要薄膜以及 Ta、Ru、PtMn 等。

使用靈敏度庫進(jìn)行無標(biāo)準(zhǔn)分析 

使用 SQX 軟件（可選）進(jìn)行半定量分析在標(biāo)準(zhǔn)樣品制備困難的應(yīng)用中非常有效?？紤]到晶圓分析的干擾衍射線的影響，并且可以選擇多個光譜，從而可以分析比傳統(tǒng)方法寬一個數(shù)量級的膜厚。

兼容從大型樣品到切割晶圓的各種樣品形狀

采用大樣品室，可處理最大尺寸為 φ400mm x 50(H)mm 的樣品（最大重量 30kg）。為了適應(yīng)各種樣品形狀，我們提供適合樣品的適配器。從300mm晶圓的大型濺射靶材到晶圓切割，一臺機(jī)器即可靈活處理。

使用晶圓裝載機(jī)自動傳輸（新功能）

提供 300mm FOUP 至 100mm 開放式盒式磁帶（可選）?？梢栽谝归g等進(jìn)行全自動分析，提高分析工作的效率。

配備CCD相機(jī)，用于樣品觀察

CCD相機(jī)（可選）可以測量異物、圖案等。您可以在查看圖像時設(shè)置最小直徑為 0.5 mm 的任何測量點(diǎn)。面內(nèi)分布測量一次最多支持 999 個點(diǎn)。此外，結(jié)合高精度樣品臺，實(shí)現(xiàn)了0.1mm步長的分析。

由經(jīng)過驗(yàn)證的軟件提供支持

它基于已在其他型號中采用的軟件，并已在數(shù)百種設(shè)備上使用，并且用戶友好且具有多種功能。

獲得SEMI標(biāo)準(zhǔn)

該設(shè)備經(jīng)過 SEMI 認(rèn)證，這是半導(dǎo)體制造應(yīng)用的使用標(biāo)準(zhǔn)。

AZX 400 應(yīng)用

?濺射靶材成分
?絕緣膜：SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si?N?、SiOF、SiON等。
?高介電常數(shù)、鐵電膜：PZT、BST、SBT、Ta2O?、HfSiOx
?金屬膜：Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni ETC。
- 電極膜：摻雜多晶硅（摻雜劑：B、N、O、P、As）、非晶硅、WSix、Pt等。
- 其他摻雜薄膜（As、P）、受限惰性氣體（Ne、Ar、Kr 等）、C (DLC)
- 鐵電薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR。 PCM、GST、GeTe
·焊料凸塊成分：SnAg、SnAgCuNi
·MEMS：ZnO、AlN、PZT
·SAW 的厚度和成分 器件工藝：AlN、ZnO、ZnS、SiO?（壓電膜）的厚度和成分 Al、AlCu 、AlSc 、AlTi（電極膜）