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最大 300 mm的晶圓厚度測(cè)厚儀，自動(dòng)對(duì)位功能和使用具有高平整度的晶圓卡盤可實(shí)現(xiàn)可靠的薄膜厚度測(cè)量。此外，它可以安裝在半導(dǎo)體制造設(shè)備的負(fù)載端口，以在保持清潔度的同時(shí)管理制造設(shè)備上的薄膜厚度。

長(zhǎng)處

映射涂層測(cè)厚儀能夠在最大 300 mm 的晶圓的所有表面上自動(dòng)映射膜厚測(cè)量。自動(dòng)對(duì)位功能和使用具有高平整度的晶圓卡盤可實(shí)現(xiàn)可靠的薄膜厚度測(cè)量。此外，它可以安裝在半導(dǎo)體制造設(shè)備的負(fù)載端口，以在保持清潔度的同時(shí)管理制造設(shè)備上的薄膜厚度。

1
能夠?qū)ψ畲?300 mm 的晶圓的整個(gè)表面進(jìn)行自動(dòng)涂層厚度映射測(cè)量

2
自動(dòng)對(duì)位功能

通過自動(dòng)檢測(cè)缺口和無(wú)花柱位置，以及自動(dòng)檢測(cè)晶圓偏心率，實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)量。

3
通過使用具有高平整度的晶圓卡盤，提高晶圓表面的測(cè)量可靠性

4
可根據(jù)應(yīng)用選擇三種類型的光源。

5
透明蓋，便于在測(cè)量過程中查看運(yùn)動(dòng)

6
一體化節(jié)省空間的設(shè)計(jì)

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（2D 膜厚分布）層壓晶圓的硅
厚度（nm）
測(cè)量數(shù)據(jù)示例（3D 薄膜厚度分布）層壓晶圓的硅厚度
（nm）
測(cè)量數(shù)據(jù)示例（薄膜厚度的頻率分布）層壓晶圓中的硅厚度
測(cè)量數(shù)據(jù)示例（多個(gè)晶圓的膜厚分布箱線圖）5 個(gè)晶圓的膜厚分布趨勢(shì)

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長(zhǎng)處

能夠?qū)ψ畲?300 mm 的晶圓的整個(gè)表面進(jìn)行自動(dòng)涂層厚度映射測(cè)量

自動(dòng)對(duì)位功能

通過使用具有高平整度的晶圓卡盤，提高晶圓表面的測(cè)量可靠性

可根據(jù)應(yīng)用選擇三種類型的光源。

透明蓋，便于在測(cè)量過程中查看運(yùn)動(dòng)

一體化節(jié)省空間的設(shè)計(jì)

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（2D 膜厚分布）層壓晶圓的硅
厚度（nm）

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（3D 薄膜厚度分布）層壓晶圓的硅厚度
（nm）

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（薄膜厚度的頻率分布）層壓晶圓中的硅厚度

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（多個(gè)晶圓的膜厚分布箱線圖）5 個(gè)晶圓的膜厚分布趨勢(shì)

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能夠?qū)ψ畲?300 mm 的晶圓的整個(gè)表面進(jìn)行自動(dòng)涂層厚度映射測(cè)量

自動(dòng)對(duì)位功能

通過使用具有高平整度的晶圓卡盤，提高晶圓表面的測(cè)量可靠性

可根據(jù)應(yīng)用選擇三種類型的光源。

透明蓋，便于在測(cè)量過程中查看運(yùn)動(dòng)

一體化節(jié)省空間的設(shè)計(jì)

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（2D 膜厚分布）層壓晶圓的硅厚度 （nm）

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（3D 薄膜厚度分布）層壓晶圓的硅厚度（nm）

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（薄膜厚度的頻率分布）層壓晶圓中的硅厚度

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（多個(gè)晶圓的膜厚分布箱線圖）5 個(gè)晶圓的膜厚分布趨勢(shì)

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通過使用具有高平整度的晶圓卡盤，提高晶圓表面的測(cè)量可靠性

可根據(jù)應(yīng)用選擇三種類型的光源。

透明蓋，便于在測(cè)量過程中查看運(yùn)動(dòng)

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（2D 膜厚分布）層壓晶圓的硅
厚度（nm）

測(cè)量數(shù)據(jù)示例（3D 薄膜厚度分布）層壓晶圓的硅厚度
（nm）