產(chǎn)品分類品牌分類
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
大景深,成像富有立體感。豐富的擴(kuò)展性,助您在顯微成像的世界中盡情探索。
詳細(xì)介紹
SEM3200鎢燈絲掃描電鏡是一款高性能、應(yīng)用廣泛的通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡。擁有出色的成像質(zhì)量、可兼容低真空模式、在不同的視場(chǎng)范圍下均可得到高分辨率圖像。
大景深,成像富有立體感。豐富的擴(kuò)展性,助您在顯微成像的世界中盡情探索。
豐富的擴(kuò)展性
SE\BSE\EDS\EBSD等
光學(xué)導(dǎo)航
可快速定位目標(biāo)樣品和感興趣區(qū)域
*大圖拼接
可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)的采圖和拼接,展示超大視野畫面
圖像混合成像(SE+BSE)
在一個(gè)圖像中觀察到樣品的成分和表面信息
*雙陽(yáng)極結(jié)構(gòu)
雙陽(yáng)極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),提升了低電壓下的分辨率和成像質(zhì)量
*低真空模式
在低真空下提供樣品表面細(xì)節(jié)和形貌,軟件一鍵切換真空狀態(tài)
鎢燈絲掃描電鏡產(chǎn)品特點(diǎn)(*為選配件)
低電壓
碳材料樣品,低電壓下,穿透深度較小,可以獲取樣品表面真實(shí)形貌,細(xì)節(jié)更豐富。
毛發(fā)樣品,在低電壓下,電子束輻照損傷減小,同時(shí)消除了荷電效應(yīng)。
低真空
過(guò)濾纖維管材料,導(dǎo)電性差,在高真空下荷電明顯,在低真空下,無(wú)需鍍膜即可實(shí)現(xiàn)對(duì)不導(dǎo)電樣品的直接觀察。
大視場(chǎng)
生物樣品,采用大視場(chǎng)觀察,能夠輕松獲得瓢蟲整體形貌及頭部結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié),展現(xiàn)跨尺度分析。
導(dǎo)航&防碰撞
光學(xué)導(dǎo)航
想看哪里點(diǎn)哪里,導(dǎo)航更輕松
標(biāo)配倉(cāng)內(nèi)攝像頭,可拍攝高清樣品臺(tái)照片,快速定位樣品。
手勢(shì)快捷導(dǎo)航
可通過(guò)雙擊移動(dòng)、鼠標(biāo)中鍵拖動(dòng)、框選放大,進(jìn)行快捷導(dǎo)航
如框選放大:在低倍導(dǎo)航下,獲得樣品的大視野情況,可快速框選您感興趣的樣品區(qū)域,提高工作效率。
防碰撞技術(shù)
采取多維度的防碰撞方案:
1. 手動(dòng)輸入樣品高度,精準(zhǔn)控制樣品與物鏡下端距離,防止發(fā)生碰撞;
2. 基于圖像識(shí)別和動(dòng)態(tài)捕捉技術(shù),運(yùn)動(dòng)過(guò)程中對(duì)倉(cāng)內(nèi)的畫面進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè);
3. 硬件防碰撞,可在碰撞一瞬間停止電機(jī),減少碰撞損傷。(*SEM3200A需選配此功能)
特色功能
智能輔助消像散
直觀反映整個(gè)視野的像散程度,通過(guò)鼠標(biāo)點(diǎn)擊清晰處,可快速調(diào)節(jié)像散至最佳。
自動(dòng)聚焦
一鍵聚焦,快速成像。
自動(dòng)消像散
一鍵消像散,提高工作效率。
自動(dòng)亮度對(duì)比度
一鍵自動(dòng)亮度對(duì)比度,調(diào)出灰度合適圖像。
多種信息同時(shí)成像
SEM3200軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像。可同時(shí)觀察到樣品的形貌信息和
成分信息。
快速圖像旋轉(zhuǎn)
拖動(dòng)一條線,圖像立刻“擺正角度"。
豐富拓展性
掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察,更可以進(jìn)行樣品表面的微區(qū)成分分析。
SEM3200接口豐富,除支持常規(guī)的二次電子探測(cè)器(ETD)、背散射電子探測(cè)器(BSED)、X射線能譜儀(EDS)外,也預(yù)留了諸多接口,如電子背散射衍射(EBSD)、陰極射線(CL)等探測(cè)器都可以在SEM3200上進(jìn)行集成。
背散射電子探測(cè)器
二次電子成像和背散射電子成像對(duì)比
背散射電子成像模式下,荷電效應(yīng)明顯減弱,并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。
鍍層樣品:
鎢鋼合金樣品:
四分割背散射電子探測(cè)器——多通道成像
探測(cè)器設(shè)計(jì)精巧,靈敏度高,采用4分割設(shè)計(jì),無(wú)需傾斜樣品,可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。
四個(gè)單通道的陰影像
成分像
能譜
LED小燈珠能譜面分析結(jié)果。
電子背散射衍射
鎢燈絲電鏡束流大,高分辨EBSD的測(cè)試需求,能夠?qū)饘?、陶瓷、礦物等多晶材料進(jìn)行晶體取向標(biāo)定以及晶粒度大小等分析。
該圖為Ni金屬標(biāo)樣的EBSD反極圖,能夠識(shí)別晶粒大小和取向,判斷晶界和孿晶,對(duì)材料組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確判斷。
應(yīng)用案例
普通芯片-1
普通芯片-2
負(fù)極-碳
負(fù)極-碳包硅
正極-鈷酸鋰
正極-錳酸鋰
太陽(yáng)能電池-1
太陽(yáng)能電池-2
高分子泡沫
催化劑-MOF材料
2A12鋁合金析出相
Mg-Zn合金化合物層
不銹鋼-黃銅焊接件
鈦合金基體組織
合金斷口脆性+韌性
韌性斷口
鋼鐵夾雜物BSE
鋼鐵夾雜物SE
硅藻-1
硅藻-2
雞葡萄球菌-1
雞葡萄球菌-2
大米
糯米淀粉顆粒-1
糯米淀粉顆粒-2
受潮鹽顆粒
粉體-鈦酸鋇
粉體
粉體-氧化鋁
過(guò)濾功能材料
巖石
納米材料-二氧化硅微球
SiC陶瓷BSE
SiC陶瓷SE
陶瓷復(fù)合材料
產(chǎn)品參數(shù)
型號(hào) | SEM3200A | SEM3200 | ||
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電子光學(xué)系統(tǒng) | 電子槍類型 | 預(yù)對(duì)中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍 | ||
分辨率 | 高真空 | 3 nm @ 30 kV(SE) | ||
4 nm @ 30 kV(BSE) | ||||
8 nm @ 3 kV(SE) | ||||
*低真空 | 3 nm @ 30 kV(SE) | |||
放大倍率 | 1-300,000x(底片倍率) | |||
1-1000,000x(屏幕倍) | ||||
加速電壓 | 0.2 kV~30 kV | |||
成像系統(tǒng) | 探測(cè)器 | 二次電子探測(cè)器(ETD) | ||
*背散射電子探測(cè)器、*低真空二次電子探測(cè)器、*能譜儀EDS等 | ||||
圖像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |||
真空系統(tǒng) | 真空模式 | 高真空 | 優(yōu)于5×10-4 Pa | |
*低真空 | 5~1000 Pa | |||
控制方式 | 全自動(dòng)控制 | |||
樣品室 | 攝像頭 | 光學(xué)導(dǎo)航 | ||
樣品倉(cāng)內(nèi)監(jiān)控 | ||||
樣品臺(tái)配置 | 三軸自動(dòng) | 五軸自動(dòng) | ||
行程 | X: 120 mm | X: 120 mm | ||
Y: 115 mm | Y: 115 mm | |||
Z: 50 mm | Z: 50 mm | |||
/ | R: 360° | |||
/ | T: -10°~ +90° | |||
軟件 | 語(yǔ)言 | 中文 | ||
操作系統(tǒng) | Windows | |||
導(dǎo)航 | 光學(xué)導(dǎo)航、手勢(shì)快速導(dǎo)航 | |||
自動(dòng)功能 | 自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散 | |||
特色功能 | 智能輔助消像散、*大圖拼接(選配軟件) | |||
安裝要求 | 房間 | 長(zhǎng) ≥ 3000 mm,寬 ≥ 4000 mm,高 ≥ 2300 mm | ||
溫度 | 20 ℃~25 ℃ | |||
濕度 | ≤ 50 % | |||
電氣參數(shù) | 電源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA |