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          目錄:廈門韞茂科技有限公司>>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>>原子層沉積設(shè)備>> QBT-T雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)

          雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)
          • 雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 品牌 其他品牌
          • 型號(hào) QBT-T
          • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
          • 所在地 廈門市
          屬性

          價(jià)格區(qū)間:面議 應(yīng)用領(lǐng)域:綜合

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          更新時(shí)間:2024-08-22 13:46:19瀏覽次數(shù):1699評(píng)價(jià)

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          雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
              一、核心參數(shù):

              產(chǎn)地類別:國(guó)產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

              襯底尺寸:6寸

              工藝溫度:RT-300℃

              前驅(qū)體數(shù):最大可包括3組等離子體反應(yīng)氣體,8組液體或固體反應(yīng)前驅(qū)體

              重量:300KG

              尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm

              均勻性:99%

              二、原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

              三、產(chǎn)品描述:

              廈門韞茂科技公司的雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)(QBT-T),設(shè)備采用雙腔體設(shè)計(jì),腔體之間可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立控制,雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的設(shè)計(jì),使設(shè)備可以在平片上實(shí)現(xiàn)等離子體ALD的生長(zhǎng)工藝以及粉末ALD包覆工藝,設(shè)備配有獨(dú)立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng),保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動(dòng)溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動(dòng)溫度控制閥、工業(yè)級(jí)安全控制,以及現(xiàn)場(chǎng)RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設(shè)計(jì)選項(xiàng)。是*能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導(dǎo)體領(lǐng)域研究與應(yīng)用的最佳研發(fā)工具之一。

              四、廈門韞茂科技有限公司為您提供雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)QBT-T的參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息,QBT-T產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂,型號(hào)為QBT-T,價(jià)格為100萬(wàn)-200萬(wàn)RMB,更多相關(guān)信息可咨詢,公司客服電話7*24小時(shí)為您服務(wù)。

              五、技術(shù)參數(shù):

          國(guó)產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

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