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        1. 東莞市百順生物科技有限公司
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          SRM3452高溫塞貝克系數標準 (美國NIST)

          參  考  價面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準

          產品型號

          品       牌NIST/美國

          廠商性質經銷商

          所  在  地東莞市

          更新時間:2022-03-24 15:25:17瀏覽次數:665次

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          供貨周期 現貨 規(guī)格 bar
          貨號 SRM3452 應用領域 醫(yī)療衛(wèi)生
          主要用途 主要用于 295 K 至 900 K 溫度范圍內的儀器驗證和實驗室間數據比較,以
          SRM3452高溫塞貝克系數標準 (美國NIST)主要用于 295 K 至 900 K 溫度范圍內的儀器驗證和實驗室間數據比較,以支持與基于熱電的能量轉換應用相關的材料和設備的研究、開發(fā)和生產.塞貝克系數是一個比例常數,它量化了將施加的溫差轉化為電勢的熱電能量

          SRM3452高溫塞貝克系數標準 (美國NIST) 主要用于 295 K 至 900 K 溫度范圍內的儀器驗證和實驗室間數據比較,以支持與基于熱電的能量轉換應用相關的材料和設備的研究、開發(fā)和生產.塞貝克系數是一個比例常數,它量化了將施加的溫差轉化為電勢的熱電能量 [1,2]。 



          規(guī)格:

          SRM 3452 的一個單元是一個條形工件(標稱尺寸為 2.5 mm x 2.5 mm x 14.0 mm),由 p 型硼摻雜多晶硅鍺(標稱成分為 Si80Ge20)制成。



          認證值:

          表 1 中提供了認證值。測量程序部分中描述的數據集用于使用開源軟件環(huán)境進行統(tǒng)計計算、R [3] 和通用函數來確定認證的塞貝克系數值和測量不確定度對于線性模型 lm()。 NIST 認證值是 NIST 對其準確性有最高置信度的值,因為所有已知或可疑的偏差來源都已被調查或考慮 [4]。


          360截圖20220218143802009.jpg

          來源、準備和分析

          來源和制備:SRM3452高溫塞貝克系數標準 (美國NIST)包含 p 型硼摻雜多晶硅鍺,標稱成分為 Si80Ge20。使用摩擦化學和熱壓的組合生產直徑 50 毫米、厚 18 毫米的鑄錠。組成元素按原樣使用,無需進一步純化或改變。元素硅(純度 99.999 %,粒狀)、鍺(純度 99.999 %,3-9 毫米片)和硼(純度 98 %,粉末)按化學計量量混合,并在惰性氬氣氣氛下使用機械合金化 11 小時高動力轉子球磨機和不銹鋼球。使用直流燒結對所得粉末進行熱壓

          在 35 MPa 的單軸壓力和 1420 K 下熱處理 5 分鐘。錠密度為 2.93 g/cm3,> 理論密度的 99%。使用天然蜂蠟固定錠,然后使用網狀(平行線網)漿料磨料線鋸將其切成平行六面體。 SRM 3452 的標稱尺寸

          為 2.5 毫米 x 2.5 毫米 x 14.0 毫米,以適應定制和商業(yè)儀器中更長的樣品要求。所有平行六面體都使用退火淬火程序處理,通過在 25 kPa 氬氣氣氛下將工件密封在 16 mm 直徑的石英安瓿中,在 1275 K 爐中浸泡 24 小時,然后迅速去除,以確保摻雜劑均勻再溶解到固溶體中并在冰水中淬火。

          測量程序:塞貝克系數測量在定制開發(fā)的設備中進行 [10]。從 70 個單位批次中隨機選擇 6 個工件進行認證測量。塞貝克系數是在 295 K 和 900 K 之間的 295 K 和 900 K 之間的 50 K 間隔中的 13 個基準溫度下使用微分法的準穩(wěn)態(tài)條件測量的。在三次吹掃和回填循環(huán) (99.999 % UHP He) 之后,在真空 (< 10-4 Pa) 下進行測量。在工件和每個鎢電極之間插入石墨界面箔以增強熱接觸界面。然后使用定義的電流、速度和步進電機的轉數在鎢電極之間壓縮工件和兩個箔片插入物。這確保了施加到每個測量工件的壓力是一致的。

          根據 |SA – SV|,通過比較在大氣壓 (SA) 和真空 (SV) 下測量的塞貝克系數來驗證熱界面質量。 ≤ 0.5 uB,其中 uB 是 B 類測量不確定度分量(通常 << 0.4 μV/K)。進行電流-電壓 (IV) 掃描以驗證鎢工件接觸界面的歐姆行為,其中 IV 最小二乘擬合的 R2 ≥ 0.9999 并且 I = 0 時的電壓偏移 < 0.5 µV。


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