目錄:沈陽科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司>>真空鍍膜機(jī)>>磁控濺射鍍膜>> VTC-1RF-SPC磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀
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更新時(shí)間：2024-04-10 10:07:47瀏覽次數(shù)：314評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
VTC-1RF-SPC磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀是一套可實(shí)現(xiàn)射頻磁控濺射和蒸發(fā)鍍膜功能的系統(tǒng)，包含射頻電源、溫控型蒸發(fā)鍍膜模塊、真空系統(tǒng)，水冷設(shè)備，磁控濺射靶頭，不銹鋼腔室等。
| 產(chǎn)品名稱 | VTC-1RF-SPC磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀 | ||
| 產(chǎn)品型號(hào) | VTC-1RF-SPC | ||
| 主要參數(shù) | · 電源：AC380V/50HZ · 額定功率：4.2KW ·外形尺寸：長840*寬750*高1900mm ·重量：約310KG  | ||
| 不銹鋼腔室 | · 內(nèi)徑φ250*高度360mm; · 腔體前部帶有一個(gè)CF100的真空密封法蘭，密封法蘭上面安裝了一個(gè)石英觀察窗口； · 腔體右側(cè)帶有一個(gè)從CF60法蘭接口，用于和分子泵進(jìn)行連接 · 腔室上部有一個(gè)LF250法蘭接口，法蘭端蓋上部固定有濺射靶頭和樣品臺(tái)； · 腔體左側(cè)帶有一個(gè)KF63法蘭接頭，用于連接蒸發(fā)模塊； · 腔體右側(cè)帶有一個(gè)CF35法蘭接口，用于連接薄膜測(cè)厚儀； · 腔體后部帶有兩個(gè)精密調(diào)節(jié)針閥，用于控制進(jìn)氣量，通過調(diào)節(jié)進(jìn)氣量的大小，實(shí)現(xiàn)腔體內(nèi)不同真空度的濺射； · 腔體后部預(yù)留一個(gè)1/16英寸的卡套接口，用于客戶后期連接質(zhì)譜儀的檢測(cè)管道。
·腔室真空度： | ||
| 濺射靶頭 | 磁控濺射靶頭固定在上法蘭端蓋上，通過焊接波紋管密封，方向朝上，和樣品臺(tái)形成45度夾角 · 標(biāo)配1英寸的磁控濺射靶頭，內(nèi)部嵌有冷卻水管，可以通水冷實(shí)現(xiàn)對(duì)磁鋼和靶材的冷卻，從而能夠可以長時(shí)間進(jìn)行濺射； · 配有一手動(dòng)操作的擋板，當(dāng)?shù)谝淮螢R射清除靶材表面的氧化層和污物層，擋住基片，防止污染基片； · 樣品臺(tái)和靶頭之間的距離可以調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍：60-100mm。 · 磁控濺射靶頭和法蘭端蓋可以電動(dòng)升降 （可選配2英寸磁控濺射靶頭） | ||
| 樣品臺(tái) | 樣品臺(tái)固定在腔體上法蘭端蓋上，方向垂直朝下 ·樣品臺(tái)通過磁流體密封，可實(shí)現(xiàn)樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn) ·樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)速度：0.5-5r/min可調(diào) ·樣品臺(tái)尺寸：φ100mm，通過螺旋壓蓋固定樣品，可選配≤φ100mm的各種尺寸掩膜版，以實(shí)現(xiàn)對(duì)不同樣品尺寸的鍍膜制備 ·樣品臺(tái)最高溫度可達(dá)700度（≤30min），長期使用溫度500度，樣品臺(tái)加熱系統(tǒng)通過一程序溫控系統(tǒng)進(jìn)行控制，可實(shí)現(xiàn)30段程序控溫，通過PTD調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)精確控溫，控溫精度±3℃。 ·樣品臺(tái)和法蘭端蓋可以電動(dòng)升降
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| 蒸發(fā)模塊 | · 從腔室右端采用KF50快接法蘭與不銹鋼腔體進(jìn)行連接，保證腔室的真空度 · 采用鎢絲作為發(fā)熱源，并且配有專用的氧化鋁坩堝，熱電偶安裝在坩堝底部，以便于溫度測(cè)量和控制 · 標(biāo)配采用S型熱電偶，蒸發(fā)工作溫度為200-1300度 · 蒸發(fā)模塊加熱系統(tǒng)通過一程序溫控系統(tǒng)進(jìn)行控制，可實(shí)現(xiàn)30段程序控溫，通過PID調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)精確控溫，控溫精度±3℃。 · 蒸發(fā)模塊和樣品臺(tái)之間的距離為：60mm · 蒸發(fā)模塊坩堝尺寸：外徑φ19.6*內(nèi)徑φ15.4*高度24mm,可選配其它材質(zhì)坩堝，如不銹鋼坩堝等。     | ||
| 控制面板 | 控制面板采用一個(gè)7寸觸摸屏實(shí)現(xiàn)集成控制 · 可在觸摸屏上操作真空系統(tǒng)，顯示真空度 · 可在觸摸屏上進(jìn)行樣品臺(tái)加熱溫控程序的設(shè)定和蒸發(fā)模塊溫控系統(tǒng)的設(shè)定 · 可控制樣品臺(tái)的旋轉(zhuǎn)并設(shè)置樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)速度 · 控制電動(dòng)插板閥的啟動(dòng)和關(guān)閉  | ||
| 射頻電源 | · 輸入電源：220V · 輸出功率：0-300W · 輸出頻率：13.56 MHZ · 冷卻方式：設(shè)備內(nèi)部的冷卻方式為風(fēng)冷 · 尺寸：132（長）*442（寬）*405mm（高） （可根據(jù)濺射靶材不同選配直流電源） | ||
| 分子泵 | · 分子泵型號(hào)：FF-160/700 · 抽氣速率：700L/S · 極限壓強(qiáng)：6*10-7Pa（不帶負(fù)載） · 啟動(dòng)時(shí)間：＜4min · 額定轉(zhuǎn)速：36000 R/min · 冷卻方式：風(fēng)冷加水冷 · 抽氣口接口尺寸：CF160 · 帶電動(dòng)插板閥：可在觸摸屏中控制電動(dòng)閥的啟動(dòng)和關(guān)閉  | ||
| 分子泵控制器 | · 型號(hào)：TCP-II · 電壓：AC220V/50HZ · 輸出功率：750W · 加速時(shí)間：5min · 輸出頻率：0-1300HZ | ||
| 復(fù)合真空計(jì) | · 型號(hào)：ZDF-III · 工作電壓：AC220V 50/60HZ · 電阻規(guī)阻值：約85歐 · 自動(dòng)保護(hù)（電離）＞10Pa · 電阻規(guī)測(cè)量范圍：105-10-1Pa · 電離規(guī)測(cè)量范圍：100-10-5Pa | ||
| 前級(jí)機(jī)械泵（選配） | · 抽真空接口為KF40接口 · 真空泵：VRD-48，抽速48M3/H(13.3L/S) · 電機(jī)功率：1500W · 電機(jī)電源：AC380V/50HZ · 極限真空：4*10-2Pa(不帶負(fù)載) · 真空計(jì)：ZDZ-52T V01型電阻真空計(jì)  | ||
| 水冷設(shè)備（選配） | · 型號(hào)：KJ-5000 · 工作電流：1.4-2.1A · 制冷量：2361Btu/h · 尺寸：55×28×43cm（長×寬×高） | ||
| 膜厚檢測(cè)儀（選配） | · 一個(gè)精密的石英振動(dòng)薄膜測(cè)厚儀安裝在儀器上，可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜的厚度，分別率為0.10 ? · LED顯示屏顯示，同時(shí)也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù)   | ||
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