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          目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光源>>SLD光源/激光器>> 光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW

          光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW
          • 光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW
          參考價 面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準
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          • 品牌 其他品牌
          • 型號
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 所在地 上海市
          屬性

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          >

          更新時間:2024-12-08 10:12:28瀏覽次數(shù):848評價

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          光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW
          總覽

          Superluminescent Diodes (SLD) 超輻射發(fā)光二極管 是介于激光器(LD)和發(fā)光二極管(LED)之間的一種半導(dǎo)體光電器件,與激光二極管類似,超輻射發(fā)光二極管基于電驅(qū)動pn結(jié),當正向偏置時,該pn結(jié)具有光學(xué)活性,并在寬波長范圍內(nèi)產(chǎn)生放大的自發(fā)發(fā)射。SLD的峰值波長和強度取決于活性材料成分和注入電流水平。SLD被設(shè)計為對沿著波導(dǎo)產(chǎn)生的自發(fā)發(fā)射具有高的單程放大,但與激光二極管不同,反饋不足以實現(xiàn)激光作用。這是通過傾斜波導(dǎo)和防反射涂層刻面的共同作用非常成功地獲得的。

          SLD是具有相當寬的光學(xué)帶寬的光源。它們不同于光譜非常窄的激光器和光譜寬度大得多的白色光源。這種特性主要反映在光源的低時間相干性上(這是發(fā)射的光波隨時間保持相位的有限能力)。然而,SLD可能表現(xiàn)出高度的空間相干性,這意味著它們可以有效地耦合到單模光纖中。一些應(yīng)用利用SLD源的低時間相干性來實現(xiàn)成像技術(shù)中的高空間分辨率。相干長度是一個經(jīng)常用來表征光源的時間相干的量。它與光學(xué)干涉儀兩臂之間的路徑差有關(guān),在該干涉儀上光波仍然能夠產(chǎn)生干涉圖案。

          一方面,SLD是經(jīng)過優(yōu)化以產(chǎn)生大量放大自發(fā)發(fā)射(ASE)的半導(dǎo)體器件。為了做到這一點,它們結(jié)合了高功率增益部分,其中以30dB或更高的高增益因子放大種子自發(fā)發(fā)射。另一方面,SLD缺乏光學(xué)反饋,因此不可能發(fā)生激光作用。通過使小面相對于波導(dǎo)傾斜來抑制從光學(xué)部件(例如連接器)到腔中的光的背反射產(chǎn)生的光學(xué)反饋,并且可以通過抗反射涂層來進一步抑制。避免了共振器模式的形成,從而避免了光譜中明顯的結(jié)構(gòu)和/或光譜變窄。


          光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW,光纖耦合超輻射發(fā)光二極管 SLD 1000nm 25mW
          型號參數(shù)

          產(chǎn)品特點:

          超寬帶ASE光譜(950-1050nm)

          低紋波

          強偏振

          單獨老化和熱循環(huán)篩選

          符合RoHS


          應(yīng)用:

          光纖傳感器

          儀器儀表

          光譜學(xué)


          規(guī)格

          測試條件:連續(xù)工作,芯片溫度25°C,外殼安裝在室溫散熱器上

          參數(shù)

          符號.

          最小值.

          典型值.

          最大值.

          單位

          工作輸出功率

          Pout

          15

          25


          mW

          平均波長

          λm

          985

          1000

          1015

          nm

          帶寬 @ -3dB

          Δλ

          80

          100


          nm

          譜傾角振幅



          1

          3

          dB

          基態(tài)最大位置

          λg

          1015

          1030

          1045

          nm

          激發(fā)態(tài)最大位置

          λe

          940

          955

          970

          nm

          ASE譜波紋*



          0.02

          0.3

          dB

          偏振消光比

          PER

          15

          20


          dB

          操作電流

          Iop


          600

          700

          mA

          正向電壓

          Vf


          1.7

          1.9

          V

          上升時間

          Trise


          0.15


          ns

          下降時間

          Tfall


          0.5


          ns

          * RMS在1nm范圍在ASE最大,10pm分辨率


          典型性能僅供參考

          測試條件:連續(xù)工作,芯片溫度25°C,外殼安裝在室溫散熱器上


          360截圖20230417140331134.jpg



          絕對最大額定參數(shù)

          參數(shù)

          最小值

          最大值

          單位

          SLD 反向電壓

          -

          2

          V

          SLD 連續(xù)波正向電流

          -

          900

          mA

          熱電冷卻器電流

          -

          3

          A

          熱電冷卻器電壓

          -

          4

          V

          光纖彎曲半徑

          3

          -

          cm

          芯片工作溫度范圍

          5

          40

          °C

          外殼工作溫度

          0

          70

          °C

          存儲溫度范圍

          -40

          85

          °C


          熱敏電阻規(guī)格

          光纖規(guī)格

          參數(shù)

          數(shù)值

          單位

          參數(shù)

          HI1060

          PM980

          單位

          熱敏電阻 典型

          NTC

          -

          NA 典型

          0.14

          0.12


          電阻 @25°C

          10 ± 0.1

          kOhm

          截止波長

          920±50

          900±70

          nm

          Beta 0-50°C

          3375±1%

          K

          模場直徑@1060nm

          6.2±0.3

          6.6±0.3

          μm

          包層直徑 

          125±1

          125±1

          μm

          涂覆層直徑

          245±15

          245±15

          μm

          長度(每個端口)

          1.0 ± 0.1

          m

          接口

          FC/APC(narrow key)


          連接器對準熊貓型光纖:



          輸出光沿PM光纖的慢軸偏振。


          尺寸 (單位:毫米)


          搜狗截圖20230417140659.png





          通用參數(shù)

          光纖耦合SLD典型參數(shù)

          型號平均波長頻寬FWHM輸出功率最大波長頻譜下降

          波紋,均方根值

          Ripples RMS1
          偏振消光比PER工作電流
          nmnmmWnmdBdBdBmA
          SLD-1000-100-YY-25100010025955, 103010.0220600
          SLD-1030-120-YY-15103012015970, 105040.0220550
          SLD-1030-20-YY-1501030201301030
          0.0420800
          SLD-1050-90-YY-35105090351050
          0.220700
          SLD-1060-20-YY-1501065251301060
          0.0520800
          SLD-1060-20-YY-3001060203001060
          0.3201600
          SLD-1064-20-YY-3501064203501164

          18750
          SLD-1080-30-YY-1001080301001080
          0.0520800
          SLD-1130-20-YY-30113027301125
          0.0320300
          SLD-1140-85-YY-111408511110, 117040.0520400
          SLD-1190-90-YY-111909011160, 122550.0220300
          SLD-1250-110-YY-5125011051210, 128060.0520800
          SLD-1280-50-YY-112805011280
          0.0220400

          1– @ ASE 最大值,RMS 在 1 nm 范圍內(nèi),10pm 分辨率

          780-1330 nm范圍內(nèi)的任何定制波長都是可能的。



          波長功率密度曲線


          SLD_ASE_spectra.png


          注意:

          這種設(shè)備發(fā)出的光是看不見的,可能對人眼有害。設(shè)備運行時,避免直視光纖連接器。在連接器打開的情況下操作時,必須佩戴合適的激光安全眼鏡。

          絕對最大額定值只能在短時間內(nèi)應(yīng)用于設(shè)備。長時間暴露于最大額定值或暴露于一個以上的最大額定值可能會導(dǎo)致設(shè)備損壞或影響設(shè)備的可靠性。在最大額定值之外操作設(shè)備可能會導(dǎo)致設(shè)備故障或安全隱患。必須使用與部件一起使用的電源,以確保不會超過最大正向電流。散熱器上的設(shè)備需要一個合適的散熱器。該裝置必須使用4個螺釘(以X型方式擰緊,初始扭矩設(shè)置為0.075Nm,最終X型螺栓擰緊為0.15Nm)或夾具安裝在散熱器上。散熱器表面的平面度偏差必須小于0.05mm。建議在外殼底部和散熱器之間使用銦箔或?qū)彳洸牧献鳛闊峤涌?。為此不希望使用?dǎo)熱油脂避免設(shè)備背面反射。它可能會在頻譜和功率穩(wěn)定性方面對設(shè)備性能產(chǎn)生影響。它也可能造成致命的關(guān)節(jié)面損傷。強烈建議使用光學(xué)隔離器來阻擋背面反射。




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