目錄:筱曉（上海）光子技術有限公司>>光電探測器>>Si硅光電探測器>> Si雪崩單元探測器 2GHz 400-1100nm FC/APC
| 產地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,建材,電子 | 組成要素 | 半導體激光器產品及設備 |
Si雪崩單元探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償；隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響；APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點
Si雪崩單元探測器 2GHz 400-1100nm FC/APC Si雪崩單元探測器 2GHz 400-1100nm FC/APC產品特點
噪聲低
高增益
內置高壓電源
APD溫度補償
結構緊湊
內置低噪隔離電源
產品應用
光纖傳感
光纖通信
激光測距
光譜測量
ns 級光脈沖探測
產品參數(shù)
產品型號 | APD-100M-B | APD-200M-B | APD-300M-B | APD-400M-B | APD-500M-B | APD-1G-B | APD-2G-B | 單位 |
探測器類型 | Si | |||||||
波長 | 400~1100 | nm | ||||||
帶寬 | 100M | 200M | 300M | 400M | 500M | 1G | 2G | Hz |
響應度 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | A/W@850nm |
跨阻增益 | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | V/W |
輸出阻抗 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | Ω |
飽和功率 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 30 | uW |
NEP | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.2 | 0.2 | pW/√(Hz) |
輸出耦合方式 | DC/AC | DC/AC | DC/AC | DC/AC | DC | AC | AC | |
供電電壓 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 12 | 12 | V |
供電電流 | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | A |
光學輸入 | FC/APC（自由空間光可選） | |||||||
射頻輸出 | SMA | |||||||
外形尺寸 | 65*50*20 | mm | ||||||
4
化工儀器網