Microphotons的鈮酸鋰（LiNbO3）強(qiáng)度調(diào)制器由鈦擴(kuò)散或質(zhì)子交換工藝制作Mach-Zehnder 型光波導(dǎo)，輸入輸出光纖與波導(dǎo)精密斜耦合，利用鈮酸鋰材料的電光效應(yīng)實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的強(qiáng)度調(diào)制。
● X 切Y 傳鈮酸鋰
● 鈦擴(kuò)散或質(zhì)子交換波導(dǎo)
● 低驅(qū)動(dòng)電壓
● 獨(dú)立偏置電極
● 零啁啾
● 光纖與芯片精密斜耦合，大大降低
● 背向光反射
● 優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性
| 參數(shù) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 型號(hào) | LIM-1550-3G-PM-FA | |||
| 半波電壓DC直流電極 | V | 6.5 | 7.0 | |
| 電光帶寬S21@-3dB | GHz | 3 | ||
| RF 半波電壓@DC | V | 3.5 | 4.0 | |
| 偏置半波電壓 | V | 5.0 | ||
| 抖動(dòng) | dB | 0.5 | 1 | |
| 電回波損耗S110-20GHz | dB | -12 | -10 | |
| 射頻連接器輸入電阻 | Ω | 40 | ||
| 輸入阻抗直流連接器 | Ω | >1M | ||
| 晶體：Lithium Niobate | . | X-cut Y-propagation | ||
| 波導(dǎo)制作（waveguide process） | APE工藝 | |||
| 插入損耗 | dB | 3.0 | 4.0 | |
| 光回波損耗 | dB | <-45 | ||
| 波長(zhǎng)相關(guān)損耗（1480-1600nm） | dB | 0.5 | 1.0 | |
| 直流（DC）消光比 | dB | 20 | 22 | |
| 輸入光纖 | Panda保偏光纖1.5米長(zhǎng)，900um | |||
| 輸出光纖 | SMF-28單模光纖1.5米長(zhǎng)，900um（PMF可選） | |||
| 輸入RF連接器 | SMA | |||
| DC連接器 | Pin feed-through直徑：1.0mm | |||
| 封裝尺寸 | mm | 110 x12.5 x9.0 | ||
| 工作溫度 | ℃ | 0~ +70 | ||
| 存儲(chǔ)溫度 | ℃ | -40 ~ +85 | ||
| DC輸入最大電壓 | V | ±20 | ||
| 最大RF輸入功率 | dBm | +28 | ||
| 最大輸入光功率 | mW | 200（APE工藝） | ||
備注：1310nm、1064nm、850nm 波長(zhǎng)可定制
性能展示：
（S21和S11曲線） （脈沖消光比）
100ps方波脈沖產(chǎn)生
● 脈沖產(chǎn)生，脈沖整形，脈沖拾取
● 載波抑制
● 光纖傳感系統(tǒng)
● 脈沖應(yīng)用
● 模擬傳輸
● 激光雷達(dá)
LIM-W-BW-XX-Y-Z-AB-CD
W波長(zhǎng):
0850: 850nm
1064: 1064nm
1550: 1550nm
BW：電光帶寬
3G代表>03GHz
10G代表>10GHz
Y: 輸入光纖
P: 代表偏振保持光纖
S: 代表單模光纖
Z：輸出光纖
P: 代表偏振保持光纖
S 代表單模光纖
AB：輸入光纖連接器
00 代表裸光纖
FA 代表FC/APC
FC 代表FC/SPC
CD：輸出光纖連接器
00 代表裸光纖
FA 代表FC/APC
FC 代表FC/SPC
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