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薄膜、六方氮化硼薄膜六方氮化硼(h-BN,也稱為白色石墨烯)薄膜是由氮和硼元素組成的材料,具有六方晶格結(jié)構(gòu)。
薄膜、SEM氮化硅膜窗格SEM氮化硅膜窗格指的是一種通過掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy,SEM)觀察的氮化硅薄膜,該薄...
TEM多/單窗格氮化硅膜TEM多窗格氮化硅膜指的是一種通過透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy,TEM)觀察的氮化硅...
薄膜、TEM微孔氮化硅膜微孔氮化硅膜指的是具有微小孔隙結(jié)構(gòu)的氮化硅(Silicon Nitride)薄膜。這種結(jié)構(gòu)可能在納米尺度上具有特殊的電學(xué)、光學(xué)或傳感性質(zhì)...
薄膜、TEM納米孔氮化硅膜TEM納米孔氮化硅膜指的是通過透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy,TEM)觀察的具有納米...
TL-400原位TEM液體芯片、薄膜TL-400液體芯片可以實(shí)現(xiàn)高分辨原位TEM液體觀測,分辨率可以達(dá)到1nm以上。液體芯片中間有40 x 40 x 0.1um...
TBL-500原位SEM液體芯片、薄膜TBL-500液體芯片可以實(shí)現(xiàn)高分辨原位同步輻射和SEM液體(兼容掃描透射模式)觀測。液體芯片中間有400 x 800 x...
CVD二維薄膜、鉍氧硒薄膜(Bi2O2Se)鉍氧硒是一種氧化鉍和硒元素組成的化合物,屬于二維材料家族。它的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)使其在光電子學(xué)和光催化等領(lǐng)域引起關(guān)注。
CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)碲化銻是一種拓?fù)浣^緣體,同時(shí)也是一種熱電材料。在薄層形式下,它具有電學(xué)性質(zhì),表現(xiàn)出拓?fù)浣^緣體行為。
CVD二維薄膜、碲化鉍薄膜(Bi2Te3)碲化鉍是一種三維拓?fù)浣^緣體,同時(shí)也是熱電材料。其在薄層形式下具有特殊的電學(xué)性質(zhì),表現(xiàn)出拓?fù)浣^緣體的行為。
CVD二維薄膜、硒化鉍薄膜(Bi2Se3)硒化鉍是一種三維拓?fù)浣^緣體,具有電學(xué)性質(zhì)。它在薄層形式下也可以表現(xiàn)出二維電學(xué)特性。
CVD二維薄膜、二硒化錫薄膜(SnSe2)二硒化錫是由錫和硒元素組成的化合物,屬于二維材料家族。它具有半導(dǎo)體性質(zhì),且在單層形式下表現(xiàn)出特殊的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。
CVD二維薄膜、二硫化錫薄膜(SnS2)二硫化錫是一種硫族元素和錫元素組成的化合物,屬于二維材料。它具有半導(dǎo)體性質(zhì),適用于一些電子學(xué)和光電子學(xué)應(yīng)用。
CVD二維薄膜、二硒化錸薄膜(ReSe2)二硒化錸是一種過渡金屬硒族化合物,屬于二維材料家族。它具有電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),例如在單層形式下的調(diào)制的能隙。
CVD二維薄膜、二硫化錸薄膜(ReS2)二硫化錸是一種過渡金屬硫族化合物,屬于二維材料家族。它具有特殊的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),例如在單層形式下表現(xiàn)出的直接能隙。
二碲化鎳薄膜、NiTe2薄膜、CVD二維薄膜二碲化鎳是一種過渡金屬二碲族化合物,屬于二維材料家族。它具有電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì),因此引起了研究人員的興趣。
二碲化鉬薄膜、MoTe2薄膜、CVD二維薄膜二碲化鉬是一種二維過渡金屬二碲族化合物。它屬于過渡金屬二硫族化合物家族,具有特殊的電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)。
二硒化鈀薄膜、PdSe2薄膜、CVD二維薄膜二硒化鈀是一種過渡金屬二硫族化合物,屬于二維材料家族。它的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)使其在納米電子學(xué)和光電子學(xué)中備受關(guān)注。
二硒化鉑薄膜、PtSe2薄膜、CVD二維薄膜二硒化鉑是一種二維過渡金屬二硫族化合物。它屬于過渡金屬二硫族化合物中的一員,具有特殊的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。應(yīng)用:這種材料...
二硫化鉬薄膜、MoS2薄膜、CVD二維薄膜MoS2可選基底較多,其中硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍(lán)寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如PET,PI,ITO,F(xiàn)T...
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