紫外光刻機新一代紫外光源：172nm，具有同類產(chǎn)品良好的輸出強度，3%的可用孔徑，弧光燈使用壽命更長。暴露高達30000次，瞬間啟動，無需超凈室，內(nèi)置凈化系統(tǒng)可使系統(tǒng)在大氣環(huán)境中工作，無需主動冷卻和外部冷卻，無有毒氣體和汞等物質(zhì)。高光能轉(zhuǎn)換率（EVU僅為0.02%），節(jié)能；傳統(tǒng)的UV處理會存在以上問題。光刻操作可以在幾分鐘內(nèi)完成，維護簡單，幾乎不需要培訓。
1、微米級高分辨率投影光刻。
2、實現(xiàn)無遮罩任意圖案書寫，所見即所得，即時。
3、200mm行程拼接，100nm拼接精度。
4、視覺引導光斑，支持雕刻。
5、全自動操作，圖形縮放、旋轉(zhuǎn)、定位、掃描、拼接均由軟件完成。
紫外光刻機紫外投影光刻技術將特定形狀的光斑投射到涂在器件表面的光刻膠上。光刻膠的照射區(qū)域會產(chǎn)生化學變化。曝光顯影后，可形成微米級精密圖案；通過進一步的蝕刻或蒸發(fā)，可以在樣品表面形成所需的結(jié)構。UV投影光刻作為材料、器件、微結(jié)構和微器件的常用制備技術，廣泛應用于微納米結(jié)構制備、半導體器件電極制備、太赫茲/毫米波器件制備、光學掩模制備、PCB制造等應用。
傳統(tǒng)的UV投影光刻機需要先制作掩模版，耗材成本高，制備周期長，難以滿足材料和器件實驗室對靈活性和實驗進度的要求。近年來開發(fā)的紫外光刻機技術突破了這一技術限制，實現(xiàn)了任意形狀編程和全自動高精度大面積拼接的無掩模光刻，隨時將您的設計轉(zhuǎn)化為實際的成品，大大減少了開發(fā)和測試周期，強有力的助攻微納器件制備的“臨門一腳”。
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