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光伏電站晶硅組件有便捷式I-V測(cè)試法以及EL檢測(cè)法，缺陷測(cè)試方法有以下四點(diǎn)點(diǎn)

　1.便攜式I-V測(cè)試法

　　晶硅組件發(fā)生PID后，其I-V曲線形狀會(huì)出現(xiàn)異常，電性能參數(shù)表現(xiàn)為Rsh、填充因子和開路電壓Voc的降低。PID越嚴(yán)重，其曲線移動(dòng)的趨勢(shì)就如圖15箭頭所示。而對(duì)于輕微PID組件，其IV曲線的異常特征不太明顯，還需結(jié)合下面的方法（開路電壓法、EL）進(jìn)行綜合分析。

　　圖15 單片電池片PID衰減后的I-V曲線

　　2.開路電壓（Voc）測(cè)試法

　　由于PID組件電性能參數(shù)有一個(gè)明顯特征，即并聯(lián)電阻值會(huì)下降很多，甚至低到個(gè)位數(shù)，正常組件的Rsh值一般在幾百兆歐以上。并聯(lián)電阻值的大小對(duì)組件的弱光效應(yīng)有較大的影響，如果Rsh值較低，在輻照度較高時(shí)，開路電壓值和正常組件差異會(huì)較小，所以難以辨別，而在低輻照度下，Rsh值較低的組件，開路電壓值會(huì)隨著輻照的降低而出現(xiàn)大幅下降。因此開路電壓法測(cè)試需要選擇低輻照時(shí)間，便于和正常組件進(jìn)行明顯區(qū)分。特別對(duì)于PID衰減不明顯的組件（功率衰減≤10%），通過便捷式IV曲線測(cè)試儀難以判斷的情況下，可以用該法進(jìn)行判斷。

　3.便攜式EL測(cè)試法

　　需要使用便攜式EL設(shè)備，PID組件在EL下的明顯特征為邊框四周電池片發(fā)黑（因電池PN結(jié)失效）。如下圖16所示，PID越嚴(yán)重，那么發(fā)黑的區(qū)域會(huì)增多，一般從邊框四周開始，逐漸蔓延到組件中間區(qū)域。

　　圖16 左：功率衰減27% 中：功率衰減42% 右：功率衰減52%

　　4. 組串排查方法

　　（1）在低輻照情況下（建議輻照度低于400W/m2），通過監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)或現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，對(duì)每個(gè)匯流箱側(cè)的每一路的組串開路電壓進(jìn)行測(cè)試，查找低電壓組串。

　　（2）對(duì)于低電壓組串，一般PID容易發(fā)生在組串的負(fù)極側(cè)，如20片一串的，要重點(diǎn)測(cè)試負(fù)極側(cè)遞一片到第十片，并一直測(cè)試到出現(xiàn)正常組件為止。

　?。?）根據(jù)便捷式I-V測(cè)試曲線或者開路電壓測(cè)試法判斷。