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全聚焦(TFM)OmniScan X3相控陣探傷儀
全聚焦(TFM)OmniScan X3相控陣探傷儀是一款功能齊備的相控陣工具箱。這款儀器所提供的性能強大的工具,如:全聚焦方式(TFM)圖像和高級成像功能,可使用戶更加充滿信心地完成檢測。
相控陣檢測儀 奧林巴斯改進的相控陣技術(shù)
奧林巴斯超聲波相控陣探傷儀OmniScan X3
迅速地投入到檢測工作中
機載掃查計劃、改進的快速校準和簡化的用戶界面,有助于省去一些不必要的步驟,從而可使用戶在很短的時間內(nèi)完成檢測的設(shè)置工作。
如果您是OmniScan MX2儀器的用戶,您可以從現(xiàn)有的儀器迅速地過渡到OmniScan X3儀器。如果您還不太了解相控陣超聲檢測或全聚焦方式(TFM),您可以通過OmniScan X3探傷儀輕松地學(xué)習(xí)這些知識。
性能可靠,令人信賴
檢測團隊中的主力成員
OmniScan X3探傷儀所提供的功能有助于用戶高效地完成檢測工作。這些功能可以在以下應(yīng)用中大顯身手:焊縫檢測、管線和管道的檢測、耐腐蝕合金的檢測、腐蝕成像、高溫氫致缺陷(HTHA)的檢測、初期裂紋的探測、復(fù)合材料的檢測和缺陷成像。
新一代OmniScan帶給您更美好的體驗
OmniScan X3儀器的軟件性能強大,其簡潔、現(xiàn)代的菜單結(jié)構(gòu)減少了按鍵的次數(shù),改進了從開始設(shè)置到后制作報告的整個檢測過程,因此無論新老用戶都會得心應(yīng)手地使用這款儀器。
實時全聚焦方式(TFM)包絡(luò)處理
儀器*的包絡(luò)處理功能,可以為缺陷生成高清全聚焦方式(TFM)圖像。圖中的缺陷在背景噪聲的襯托下,顯得更為清晰鮮明。
屏幕上多可顯示4種模式的全聚焦方式(TFM)圖像,有助于缺陷的解讀和定量
在同一個檢測中使用不同的全聚焦方式(TFM)模式(聲波組),使檢測人員更有希望探測到方向異常的缺陷指示。OmniScan X3探傷儀可以多同時顯示4種模式的全聚焦方式(TFM)圖像,從而使用戶看到從不同角度生成的圖像。來自每種模式的響應(yīng)和特征,如:端部衍射、圓角凹陷和缺陷剖面,可被綜合在一起進行分析,從而可以確認缺陷的類型,并提高缺陷定量的性能。
提前確認覆蓋區(qū)域
聲學(xué)影響圖(AIM)工具可以基于用戶的全聚焦方式(TFM)模式、探頭、設(shè)置和模擬反射體,即刻提供靈敏度的可視化模型。
聲學(xué)影響圖(AIM)工具消除了掃查計劃創(chuàng)建過程中的猜測因素,因為屏幕上會顯示某個聲波組(TFM模式)的效果圖,使用戶看到靈敏度消失的位置,并對掃查計劃進行相應(yīng)的調(diào)整。
屏幕上顯示有全聚焦方式(TFM)區(qū)域的相控陣超聲檢測探傷儀
相控陣超聲探傷儀提供機載掃查計劃創(chuàng)建功能
迅速地投入到檢測工作中
機載掃查計劃工具有助于用戶在開始檢測之前觀察到檢測圖像。
看似熟悉、實有提升的OmniScan操作體驗
OmniScan X3探傷儀雖然保留了OmniScan儀器熟為人知的界面,但卻減少了設(shè)置和分析所需的步驟。因此擁有OmniScan X2的用戶可以快速方便地過渡到OmniScan X3的使用,而新的用戶則可以借助OmniScan X3輕松地學(xué)習(xí)檢測知識。
改進的快速校準
OmniScan X3校準菜單可以高速跟蹤信號。檢測人員可以在幾分鐘之內(nèi)簡單輕松地完成多組校準。
檢測人員正在使用手提電腦上的相控陣檢測軟件
利用PC機的強大功能
OmniPC軟件為用戶提供一套高級工具,如:并排顯示視圖的功能,這種視圖可使用戶在屏幕上比較兩個文件,從而在分析數(shù)據(jù)時更加充分地利用PC機的性能。
用于檢測焊縫的OmniScan X3探傷儀
OmniScan X3相控陣探傷儀,充分發(fā)揮檢測性能
OmniScan探傷儀長期以來一直被*為奧林巴斯相控陣焊縫檢測的主力儀器。OmniScan X3探傷儀在設(shè)置、成像和分析方面的表現(xiàn)更加出色,也使焊縫檢測工作更加輕松。
OmniScan X3探傷儀擅長于完成各種焊縫檢測應(yīng)用,其中包括:
用于檢測腐蝕和其他損傷情況的OmniScan X3探傷儀
利用相控陣技術(shù)進行腐蝕檢測具有很多優(yōu)勢,其中包括較大的覆蓋范圍和出色的分辨率。但是,熟練掌握相控陣技術(shù)具有一定的挑戰(zhàn)性。OmniScan X3探傷儀通過精心設(shè)計的軟件和簡單流暢的菜單為用戶提供高級功能,從而可使用戶簡單輕松地獲得準確的數(shù)據(jù)。
探測早期的高溫氫致(HTHA)缺陷
OmniScan X3探傷儀的實時全聚焦方式(TFM)包絡(luò)、高分辨率全聚焦方式(TFM)圖像(1024 × 1024點),以及64晶片孔徑可為早期的高溫氫致(HTHA)缺陷生成圖像,而在高溫氫致缺陷形成的初期探測到缺陷至關(guān)重要。
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