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        1. 江蘇九銘特鋼有限公司
          初級(jí)會(huì)員 | 第5年

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          NC19FeNb與UNS N07718高溫合金區(qū)別

          時(shí)間:2022/1/11閱讀:271
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          NC19FeNb與UNS N07718高溫合金區(qū)別


          NC19FeNb與UNS N07718高溫合金是一種牌號(hào)


          Inconel718相近牌號(hào):


          GH169(中國(guó))、2.4668


          NC19FeNb(法國(guó))、


          NiCr19Fe19Nb5、Mo3(德國(guó))、


          NA 51(英國(guó))


          UNS NO7718(美國(guó))


          NiCr19Nb5Mo3(ISO)


          gh4169/Inconel718光棒是一種金屬材料,應(yīng)用于石油、電子、化工、醫(yī)藥、輕紡、食品、機(jī)械、建筑、核電、航空航天、等行業(yè)。


          Inconel718工藝:


            合金的冶煉工藝分為3類:真空感應(yīng)電渣重熔;真空感應(yīng)加真空電弧重熔;真空感應(yīng)加電渣重熔加真空電弧重熔。可根據(jù)零件的使用要求,選擇所需的冶煉工藝,滿足應(yīng)用要求。


            Inconel718應(yīng)用要求:


            制造航空和航天發(fā)動(dòng)機(jī)中各種靜止件和轉(zhuǎn)動(dòng)件,如盤、環(huán)件、機(jī)匣、軸、葉片、緊固件、彈性元件、燃?xì)鈱?dǎo)管、密封元件等和焊接結(jié)構(gòu)件;制造核能工業(yè)應(yīng)用的各種彈性元件和格架;制造石油和化工領(lǐng)域應(yīng)用的零件及其他零件。


            近年來,在對(duì)該合金研究不斷深化和對(duì)該合金應(yīng)用不斷擴(kuò)大的基礎(chǔ)上,為提高質(zhì)量和降低成本,發(fā)展了很多工藝:真空電弧重熔時(shí)采用氦氣冷卻工藝,有效的減輕鈮偏析;采用噴射成型工藝生產(chǎn)環(huán)件,降低成本和縮短生產(chǎn)周期;采用超塑成形工藝,擴(kuò)大產(chǎn)品的生產(chǎn)范圍。


          在鎳基高溫合金的電弧增材制造方面,研究了基于非熔化極惰性氣體保護(hù)焊(Tungsten Inert Gas Welding,TIG)工藝的Inconel718電弧增材性能。


          結(jié)果表明:基于TIG焊的電弧增材工藝做出的試樣抗拉強(qiáng)度略高于鑄件的,但是低于其他增材制造工藝制造出的零部件的抗拉強(qiáng)度。研究認(rèn)為,這可能與冷卻速率低于激光或電子束增材技術(shù)有關(guān)。對(duì)比了Inconel 718合金電弧增材試樣與鍛件的組織性能。其中,電弧增材中使用的工藝為冷金屬過渡焊(Cold Metal Transfer Welding,CMT)。由于Cr2O3和Al2O3組成的氧化膜非常活躍,只需一次沉積即可*覆蓋沉積層,因此在基于CMT工藝的逐層沉積過程中,Inconel718合金產(chǎn)生的氧化物不會(huì)累積。


          其研究發(fā)現(xiàn),CMT電弧增材組織呈現(xiàn)粗大柱狀晶粒,在基板附近具有50~150μm的寬度,沿著沉積方向定向生長(zhǎng),而在鍛件顯微組織為平均尺寸26.7μm的近等軸晶粒。此外,研究團(tuán)隊(duì)對(duì)比了在WAAM工藝下Inconel 718試樣軋制前后的力學(xué)性能,發(fā)現(xiàn)采用軋制后,經(jīng)時(shí)效處理的增材試件的強(qiáng)度從1056MPa提高到1351MPa,達(dá)到鍛造標(biāo)準(zhǔn)(1276MPa),并且消除了材料的各向異性。


          鎳基高溫合金電弧增材產(chǎn)生的粗大柱狀晶粒平均長(zhǎng)度和寬度分別為11、0.8mm,在軋制時(shí)能引發(fā)不均勻再結(jié)晶,產(chǎn)生具有小柱狀晶粒和許多細(xì)等軸晶粒的再結(jié)晶核,晶粒平均尺寸為12.7μm。軋制產(chǎn)生的力學(xué)性能強(qiáng)化主要?dú)w因于軋制誘導(dǎo)的再結(jié)晶,這使得晶粒尺寸減小而強(qiáng)化并產(chǎn)生更大的晶界面積以允許在晶界處更多的沉淀。

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