我們的高性能 ALD 閥是世偉洛克長期以來在半導體制造業(yè)中顯示出迅速積極的技術領導力的一個重要例子。ALD 閥技術問世以來，世偉洛克與半導體行業(yè)的客戶密切合作，了解他們的需求，然后打造出 ALD 閥，提供必要的、高水平的精度、一致性、清潔度和高循環(huán)壽命，以跟上市場的快速創(chuàng)新步伐。我們的 ALD 超高純閥具有以下特點：

• 快速開關下的超高循環(huán)壽命

• 流量系數(shù)從 0.27 至 1.7

• 使用耐熱執(zhí)行機構時，可在 392°F (200°C) 下浸入

• 適合于采用標準 316L VIM-VAR 不銹鋼閥體的超高純應用

• 模塊化表面安裝、卡套管對焊和世偉洛克 VCR® 端接

• 電子或光學執(zhí)行機構位置傳感選購件

  世偉洛克 ALD7 超高純隔膜閥是世偉洛克五十多年來支持半導體制造廠家和設備制造商所取得的原子層沉積 (ALD) 閥門技術的創(chuàng)新之作。這種高性能的半導體閥門使設備制造商和芯片制造廠家能夠通過實現(xiàn)流量一致性、流通能力、執(zhí)行機構速度和高溫下的性能來克服當前生產(chǎn)工藝的限制，提高芯片產(chǎn)量。

  
  

• 為毫不妥協(xié)的精度而打造

• ALD7 具有更快的響應時間、高溫下的熱穩(wěn)定性和更強的耐腐蝕性，在超高的循環(huán)壽命中，閥門與閥門、進料與進料及腔室與腔室之間的一致性能。

• 即使在非?？量痰脑映练e應用中，ALD7 也能在上億次的循環(huán)過程中提供精確的進料

• 提升的執(zhí)行機構技術使該半導體閥的運行速度比行業(yè)標準技術快，響應時間低至 5 ms

• 執(zhí)行機構可浸入 150°C，而閥門的額定溫度為 200°C，可在高溫和真空條件下，提供一致的流量

• ALD7閥體由世偉洛克專有的超高純 316L VIM-VAR 不銹鋼構成，具備抵抗腐蝕性氣體的能力

• 更高的性能。更少的返工。

• 與現(xiàn)有的半導體閥相比，ALD7 可提供更好的流量，但占用空間保持不變。其緊湊的設計有助于半導體制造商在不進行重大工藝改變的情況下，提升原有設備的生產(chǎn)力。

• ALD7 可提供高達 0.7 的流量系數(shù) (Cv)，并實現(xiàn)不同腔體之間的精確、可重復的定量

• ALD7 保持了與世偉洛克符合行業(yè)標準的 ALD 閥相同的 1.5-in. 占用空間

• 該閥門擁有一個集成式熱隔離器，縮短了外形尺寸，使系統(tǒng)設計者能夠盡可能地利用反應腔室附近的有限空間

• 規(guī)格

• 工作壓力	真空至 145 psig (10.0 bar)
  爆裂壓力	>3200 psig (220 bar)
  執(zhí)行壓力	60 至 120 psig（4.1 至 8.27 bar）
  溫度額定值	閥體從 32°F (0°C) 至 392°F (200°C) 執(zhí)行機構從 32°F (0°C) 至 302°F (150°C)
  流量系數(shù)	0.7 Cv
  閥體材料	316L VIM-VAR 不銹鋼
  隔膜材料	鈷基高溫合金
  端接
  類型	VCR® 接頭 卡套管對焊 1.5 in. 模塊化表面安裝高流量 C 型密封