深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 30V N溝道MOS 30V 5.8A 替代CJ3400，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷

 HN3400為低壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN3400實(shí)際電壓可以達(dá)到30V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求，
HN3400產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運(yùn)用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品
品牌：HN
型號(hào)：HN3400,HN3400B
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道
HN3400,原裝現(xiàn)貨，HN3400,優(yōu)勢(shì)熱銷

HN3400,HN3400B可以替代型號(hào)：AO3400，A03400，AP2306AGN，AP2338GN，AP2316GN，AP2326GN，CJK3400A，CJ2306，CJ3400，，CJ3404，CJ3434，Si2338DS，Si2372DS，Si2366DS，Si2336DS
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 30V N溝道MOS 30V 5.8A 替代CJ3400 產(chǎn)品熱銷

分析N溝道EMOS管：

N結(jié)的形成是因?yàn)殡娮訛檩d流子，沒有形成共價(jià)鍵的電子便成為了載流子。

1.當(dāng)柵極G引腳懸空時(shí)，漏極D和源極S相當(dāng)于一根導(dǎo)線，載流子為游離的電子；（電流較小）

2.當(dāng)柵極G引腳接低電平，漏極和源極隨便哪一個(gè)極接高電平時(shí)，G和N或G和S之間的PN結(jié)就反偏，反偏那么GD或GS之間就不會(huì)導(dǎo)通，還會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)向中間擴(kuò)展當(dāng)中間全部被PN結(jié)覆蓋時(shí)就意味著阻斷了D極和S極之間的通路。

結(jié)論：N溝道EMOS管的柵極G接低電平時(shí)，PN結(jié)反偏，當(dāng)反偏電壓加載到反偏截至區(qū)時(shí)DS之間就不會(huì)導(dǎo)通（D極或S極接高電平）

3.當(dāng)柵極G引腳接高電平，漏極D或源極隨便哪一個(gè)接低電平時(shí)，導(dǎo)通電壓Vgd或Vgs滿足時(shí)，漏極D和源極S之間就導(dǎo)通，并且是大電流導(dǎo)通，因?yàn)槟憔褪遣唤覩極時(shí)，DS之間也會(huì)有電流，但是沒有電流放大作用，在G極接高電平時(shí)就對(duì)電流經(jīng)行了放大，并且在G極接低電平，S極或D極接高電平時(shí)，SD之間截至。

結(jié)論：N溝道EMOS管的柵極接高水平時(shí)，PN結(jié)正偏導(dǎo)通，對(duì)電流有放大作用。