深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 5N10 100V MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷

 HN0501為中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN0501實際電壓可以達(dá)到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。
HN0501參數(shù)：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管/場效應(yīng)管
品牌：HN
型號：HN0501
VDS：100V  
IDS：5A  
封裝：SOT-23
溝道：N溝道
100V MOS管HN0501原裝產(chǎn)品,HN0501現(xiàn)貨熱銷供應(yīng)。

HN0501采用*的溝槽技術(shù)和設(shè)計為優(yōu)秀的無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)（ON）提供低門電荷。它可以應(yīng)用范圍廣泛電源切換應(yīng)用硬開關(guān)和高頻電路LED。
Vds=100V，ID=5A，rds（on）<145Ω@vgsΩ）。超低RDSON的高密度電池設(shè)計。充分表征雪崩電壓和電流。良好散熱的優(yōu)良封裝。

 售后服務(wù)：公司免費提供HN0501樣品，并提供產(chǎn)品運用的技術(shù)支持。

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100V MOS管HN0501替代：HC5N10，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328DS，AO3442，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328DS，HC160N10LS，NCE0102，NCE0102ZA，G1003A，G1003B，G1005A，AO3422，AO4454，AO3442，CJ2324，AO3422，VSC160N10MS，SL100N10MS，NCE0103Y等等。

MOS場效應(yīng)三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；

電極 G（Gate） 稱為柵極，相當(dāng)于的基極；

電極 S（Source）稱為源極，相當(dāng)于發(fā)射極。

N溝道增強型MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B，這就構(gòu)成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。

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