深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) APM2054NDC-TR 20V 5A SOT-89 MOS，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷

 APM2054NDC-TR  參數(shù)：20V 5A SOT-89 MOS/場(chǎng)效應(yīng)管

型號(hào)：APM2054NDC-TR
VDS: 20V
IDS:   5A 
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
APM2054NDC-TR原裝產(chǎn)品，APM2054NDC-TR優(yōu)勢(shì)熱銷

 HN20N03 可以替代  APM2054NDC-TR

 HN20N03 參數(shù)：30V 20A SOT-89 MOS/場(chǎng)效應(yīng)管

品牌：HN
型號(hào)：HN20N03
VDS: 30V
IDS:  20A
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
HN20N03原裝現(xiàn)貨，HN20N03優(yōu)勢(shì)熱銷

 HN20N03為低壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN20N03實(shí)際電流可以達(dá)到20A，可以滿足LED電源，充電器，快充，旅充，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。
HN20N03產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運(yùn)用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品

 可以配合德信EUP3468A,EUP3468B,PI快充CHY100,CHY100D,BQ24157,BQ24158,HE41201,Fairchild的

 HN20N03可以替代：AP2N050G，AP9452GG，2SK1579，2SK3078，APM2054NDC-TR，WST3098，DTC3058，，TDM3426，TDM3426B，DTC3056，HL20N04，2SK1588-T1，XP161A1355PR-G，NCE3008MHS20N03DA，AP20T03GH，AP20T03GJ ，AP76T03AGMT，AP20T03GH，HS20N03，AP9452GG，CJA9452，AP2N050G，AO5404E 

 MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路
MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場(chǎng)）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。
在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí)，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過(guò)。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動(dòng)，其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò)，二極管截止。在柵極沒(méi)有電壓時(shí)，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過(guò)，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極上時(shí)，由于電場(chǎng)的作用，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來(lái)而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中（見(jiàn)圖7b），從而形成電流，使源極和漏極之間導(dǎo)通?？梢韵胂駷閮蓚€(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。