深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) AO2300 20V MOS，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)

 AO2300參數(shù)：20V 3A SOT-23  MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道
品牌：萬(wàn)代AOS
型號(hào)：AO2300
VDS: 20V
IDS: 3A
封裝：SOT-23
溝道：N溝道
AO2300原裝產(chǎn)品，AO2300優(yōu)勢(shì)熱銷(xiāo)

 AO2300 可以替代HN2300

HN2300參數(shù)： 20V 5.2A  SOT-23          N溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管

 品牌：HN
型號(hào)：HN2300
VDS: 20V
IDS: 5.2A
封裝：SOT-23
溝道：N溝道
HN2300 原裝，HN2300庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)

我司可以免費(fèi)提供HN2300樣品。

售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。

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 AO2300 20V MOS 產(chǎn)品熱銷(xiāo)

MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見(jiàn)上圖。其中：電極 D（Drain） 稱(chēng)為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；

電極 G（Gate） 稱(chēng)為柵極，相當(dāng)于的基極；

電極 S（Source）稱(chēng)為源極，相當(dāng)于發(fā)射極。

N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠(chǎng)前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。