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          深圳市三佛科技有限公司>>100V MOS>> 2SK2055 100V 4A SOT-89 MOS管

          2SK2055 100V 4A SOT-89 MOS管

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          更新時間:2021-04-08 17:04:47瀏覽次數(shù):272

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          深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 2SK2055 100V 4A SOT-89 MOS管,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷

          詳細(xì)介紹

          深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 2SK2055 100V 4A SOT-89  MOS管,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷

           2SK2055參數(shù):100V 4A SOT-89  MOS管/場效應(yīng)管   N溝道
          品牌:NEC 
          型號:2SK2055
          VDS:100V  
          IDS:4A  
          封裝:SOT-89
          溝道:N溝道
          2SK2055原裝產(chǎn)品,2SK2055現(xiàn)貨熱銷供應(yīng)。

          HN0801可以替代2SK2055

           HN0801參數(shù):100V 8A SOT-89 N溝道MOS管/場效應(yīng)管

           100V MOS管HN0801可替代:AO4292,AO4292E,AO4452,AO4454,AO4482,2SK2055,PCP1403,BSS606N, 2SK1764, CJA03N10,2SK1592,VSR050N06MS,RHP020N06T100,RJP020N06,NCE3055,UT3N06G,F(xiàn)IR3N10MTG,2SK1273,NCE6003M,2SK2055,2SK3065,2SK2615,PL3N10M,NCE0102M,WSE9968A,HM3N10PR,
          HM4N10PR,HM6N10PR,HM2N15PR,AP2310GG,AP6N090G。

           

           場效應(yīng)管工作原理

           場效應(yīng)管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?,根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場,源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。
          在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實(shí)際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,VGS向負(fù)的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。

           

           2SK2055 100V 4A SOT-89  MOS管 產(chǎn)品熱銷

           

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