深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)100V 3A  SOT-89 MOS管3N10，HN03N10D原裝產(chǎn)品，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)

HN03N10D參數(shù)：100V 3A  SOT-89 N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管

品牌：HN
型號(hào)：HN03N10D
VDS：100V
IDS：3A
封裝：SOT-89
溝道：N溝道

HN03N10D原裝產(chǎn)品,HN03N10D現(xiàn)貨熱銷(xiāo)供應(yīng)
HN03N10D為中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN03N10D實(shí)際電壓可以達(dá)到100V，可以滿(mǎn)足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。
HN03N10D產(chǎn)品應(yīng)用于：LED燈去頻閃，香薰機(jī)，加濕器 ，LED電源，充電器，小家電，電源
售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供HHN03N10D樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持

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【30V MOS N/P溝道】
HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N溝道 MOS管
HN3401:     -30V -4.2A  SOT23       P溝道 MOS管
HN20N03： 30V  20A  SOT-89         N溝道 MOS管 

HN20N03DA：30V 20A TO-252   N溝道   MOS
HN10N03DA：30V 10A TO-252     N溝道 MOS管
HN85N03DA：30V 85A TO-252    N溝道 MOS管 
HN4435 ：      -30V  -9.1A   SOP8  P溝道  MOS管 
HN20P03 ： SOT-89  -30V -20A  P溝道 MOS管 
HN20P03 ： TO-252  -30V -20A  P溝道 MOS管 
HN16P03 ：-30V -16A  DFN3.3*3.3  P溝道 MOS管 
HN30P03 -30V -30A DFN3*3-8  P溝道 MOS管 

 深圳市三佛科技有限公司是一家致力于電子元器件行業(yè)的大型代理分銷(xiāo)機(jī)構(gòu),經(jīng)營(yíng)的產(chǎn)品有：集成電路、單片機(jī)、二極管、三極管、MOS管、可控硅、 數(shù)據(jù)收發(fā)模塊等。 公司主要經(jīng)營(yíng)和代理歐美品牌有：FREESCALE、intersil、infineon、Altera、TI、AD、IR、ON、Fairchild、ST、ATMEL、XILINX、NXP、PHILIPS、MOTOROLA、 NATIONAL 、SEMICONDUCTOR、SHARP、TOSHIBA、VISHAY、AOS等IC 。同時(shí)代理銷(xiāo)售中國(guó)臺(tái)灣富鼎*(APEC),遠(yuǎn)翔，成啟，華潤(rùn)華晶，長(zhǎng)電，新潔能品牌的MOS管，芯茂微 電源管理芯片，二，三極管及驅(qū)動(dòng)IC。  真誠(chéng)為客戶(hù)提供原裝產(chǎn)品。

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)，P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱(chēng)為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓值相等的情況下，P溝道MOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因P溝道MOS管電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用P溝道MOS管電路技術(shù)。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。P溝道MOS管集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿(mǎn)足PMOS對(duì)輸入電平的要求。