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詳細介紹
公司介紹：
幾十年TEXAS來，我們一直以通過半導體使電子產(chǎn)品更實惠的熱情來創(chuàng)造一個更美好的世界。我們是世界從真空管到晶體管再到集成電路 (IC) 轉(zhuǎn)變的先驅(qū)——幾十年來，我們一直在推進 IC 技術(shù)和可靠地大批量生產(chǎn) IC 的能力。每一代創(chuàng)新都建立在上一代的基礎上，以使技術(shù)更小、更高效、更可靠和更實惠——使半導體有可能進入任何地方的電子產(chǎn)品。我們認為這是工程進步。這是我們幾十年來一直在做的事情：
1980 年代價值 2000 萬美元的雷達系統(tǒng)中使用的物體檢測功能現(xiàn)在可以在各地的汽車中使用價值 20 美元的雷達芯片來提高車輛安全性并減少碰撞。
20年前花費數(shù)萬美元的家庭自動化系統(tǒng)現(xiàn)在只有數(shù)百美元。今天，這些系統(tǒng)更容易被房主使用，并使家庭更安全、更方便、更節(jié)能。
以前僅用于昂貴的工廠機器人系統(tǒng)的技術(shù)價格低廉，可以集成到家用電器中，使吸塵等常見的家庭任務變得更容易和更方便。
我們通過半導體使電子產(chǎn)品更實惠，創(chuàng)造更美好世界的熱情今天依然存在，因為我們幫助客戶開發(fā)新應用，特別是在工業(yè)和汽車市場。
德州儀器TEXAS UCC21530DWK驅(qū)動器
產(chǎn)品介紹：
5.7kVrms、4A/6A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器，采用 DWK pkg 中的 EN 和 DT 引腳，用于 IGBT/SiC F
參數(shù)：
通道數(shù) (#) 2
隔離等級 (Vrms) 5700
電源開關 IGBT、SiCFET
峰值輸出電流 (A) 6
DIN V VDE V 0884-10 瞬態(tài)過電壓額定值 (Vpk) 8000
DIN V VDE V 0884-10 工作電壓（Vpk） 2121
輸出 VCC/VDD (最大值) (V) 25
輸出 VCC/VDD (Min) (V) 14.7
輸入 VCC (最小值) (V) 3
輸入 VCC (最大值) (V) 18
道具延遲（ns） 19
工作溫度范圍（℃） -40 到 125
特征：
通用：雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋驅(qū)動器
寬體 SOIC-14 (DWK) 封裝
驅(qū)動器通道之間的間距為 3.3 毫米
開關參數(shù)：
19ns 典型傳播延遲
10ns 最小脈沖寬度
5ns 最大延遲匹配
6ns 最大脈寬失真
共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 大于 100V/ns
隔離柵壽命>40年
4A 峰值拉電流、6A 峰值灌電流輸出
TTL 和 CMOS 兼容輸入
3V 至 18V 輸入 VCCI 范圍
高達 25V 的 VDD 輸出驅(qū)動電源
可編程重疊和死區(qū)時間
抑制小于 5 ns 的輸入脈沖和噪聲瞬變
工作溫度范圍 –40 至 +125°C
安全相關認證：
8000-V PK隔離符合 DIN V VDE V 0884-11 :2017-01
根據(jù) UL 1577，5.7kV RMS隔離 1 分鐘
符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 終端設備標準的 CSA 認證
CQC認證符合GB4943.1-2011
描述：
UCC21530 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，具有 4A 拉電流和 6A 灌峰值電流。它旨在驅(qū)動高達 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有傳播延遲和脈寬失真。
輸入側(cè)通過 5.7kV RMS增強型隔離勢壘與兩個輸出驅(qū)動器隔離，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 至少為 100V/ns。兩個次級側(cè)驅(qū)動器之間的內(nèi)部功能隔離允許高達 1850 V 的工作電壓。
該器件可配置為兩個低側(cè)驅(qū)動器、兩個高側(cè)驅(qū)動器或一個具有可編程死區(qū)時間 (DT) 的半橋驅(qū)動器。拉低的 EN 引腳同時關閉兩個輸出，并在保持開路或拉高時允許正常操作。作為一種故障安全措施，初級側(cè)邏輯故障會迫使兩個輸出都為低電平。
該器件可接受高達 25 V 的 VDD 電源電壓。3 V 至 18 V 的寬輸入 VCCI 范圍使驅(qū)動器適合與模擬和數(shù)字控制器連接。所有電源電壓引腳都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護。
舟歐現(xiàn)貨供應德州儀器TEXAS UCC驅(qū)動器
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