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          首頁(yè)>>杭州新喬生物科技有限公司>>產(chǎn)品展示>>量子點(diǎn)

          • 水溶性3-巰基丙酸包覆CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射700±10nm) 參考價(jià):面議

            目前可提供四類(lèi)水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性?xún)?yōu)良,...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            3-巰基丙酸水溶性CdTeCdSeZnS 量子點(diǎn)
            2024/8/29 15:11:01207
          • 水溶性3-巰基丙酸包覆CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射660±10nm) 參考價(jià):面議

            目前可提供四類(lèi)水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性?xún)?yōu)良,...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            3-巰基丙酸水溶性CdTeCdSeZnS 量子點(diǎn)
            2024/8/29 15:06:12210
          • 水溶性3-巰基丙酸包覆CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議

            目前可提供四類(lèi)水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性?xún)?yōu)良,...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性3-巰基丙酸CdTeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射620
            2024/8/29 13:51:17218
          • 水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性CdTeCdS 量子點(diǎn)發(fā)射640量子點(diǎn)
            2024/8/28 14:25:40286
          • 水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性CdTeCdS 量子點(diǎn)發(fā)射620量子點(diǎn)
            2024/8/28 14:19:59249
          • 水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性CdTeCdS 量子點(diǎn)發(fā)射600量子點(diǎn)
            2024/8/28 10:50:47242
          • 水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            CdTe/CdS 量子點(diǎn)水溶性發(fā)射580量子點(diǎn)
            2024/8/28 10:45:01236
          • 水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射560±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            CdTe水溶性CdS 量子點(diǎn)發(fā)射560量子點(diǎn)
            2024/8/27 15:24:31239
          • 水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射540±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性CdTeCdS量子點(diǎn)發(fā)射540
            2024/8/27 15:15:28244
          • 水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射660±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            氨基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射660
            2024/8/27 14:02:11236
          • 水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性氨基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射640
            2024/8/26 16:54:20241
          • 水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性氨基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射620
            2024/8/26 14:35:56241
          • 水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            氨基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射600
            2024/8/23 14:53:03279
          • 水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性氨基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射580
            2024/8/23 14:40:39237
          • 水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射560±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            氨基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射560
            2024/8/23 9:59:07260
          • 水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射540±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            氨基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射540
            2024/8/23 9:41:14257
          • 水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性氨基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射520
            2024/8/22 16:31:28245
          • 水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射480±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性氨基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射480
            2024/8/22 16:15:08262
          • 水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射660±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性羧基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射660
            2024/8/22 16:09:16250
          • 水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性羧基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射640
            2024/8/22 14:21:30243
          • 水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            羧基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射620
            2024/8/22 14:13:38207
          • 水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            羧基PEG水溶性CdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射600
            2024/8/22 14:03:36224
          • 水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性羧基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射580
            2024/8/22 13:45:58232
          • 水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射560±10nm) 參考價(jià):面議

            水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密...
            型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
            水溶性羧基PEGCdSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射560
            2024/8/22 13:42:31234

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