水溶性CuInS/ZnS 量子點(發(fā)射600±20nm) 參考價:面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點產(chǎn)品是以CuInS2為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為30%,儲存時應(yīng)避免陽光直射...水溶性CuInS/ZnS 量子點(發(fā)射550±20nm) 參考價:面議
水溶性CuInS2/ZnS量子點產(chǎn)品是以CuInS2為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為30%,儲存時應(yīng)避免陽光直射...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射750±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射700±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射650±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射620±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射600±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射580±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射550±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射520±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射750±10nm) 參考價:面議
本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強度高而穩(wěn)定等特點。目前可提供表面為羧基或者氨基,3-巰基丙酸(MPA)和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射700±10nm) 參考價:面議
本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強度高而穩(wěn)定等特點。目前可提供表面為羧基或者氨基,3-巰基丙酸(MPA)和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射650±10nm) 參考價:面議
本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強度高而穩(wěn)定等特點。目前可提供表面為羧基或者氨基,3-巰基丙酸(MPA)和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射620±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射600±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射580±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射550±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射520±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射750±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射700±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射650±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射620±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射600±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(發(fā)射580±10nm) 參考價:面議
水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)