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          北京硅材料電阻率測(cè)試儀

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          • 北京硅材料電阻率測(cè)試儀
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          參考價(jià) 9200
          訂貨量 1臺(tái)
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 型號(hào) SN/RTS-3
          • 品牌 FR/富瑞
          • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
          • 所在地 北京市
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          更新時(shí)間:2020-12-25 10:25:36瀏覽次數(shù):628

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          測(cè)量范圍 0.01~1999.9Ω.cmMΩ 產(chǎn)地類別 國產(chǎn)
          類型 數(shù)字式電阻測(cè)試儀 應(yīng)用領(lǐng)域 生物產(chǎn)業(yè),電子,電氣
          北京硅材料電阻率測(cè)試儀RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀體積小,精度高,測(cè)量范圍寬,運(yùn)用四探針原理能夠測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻。RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀體積小,精度高,測(cè)量范圍寬,運(yùn)用四探針原理能夠測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻。

          詳細(xì)介紹

          手持式四探針測(cè)試儀  硅材料電阻率測(cè)試儀

          型號(hào):SN/RTS-3

          北京硅材料電阻率測(cè)試儀體積小,精度高,測(cè)量范圍寬,運(yùn)用四探針原理能夠測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻。

           北京硅材料電阻率測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù):

            

           測(cè)量范圍

           電阻率:0.01~1999.9Ω.cm;  
           方塊電阻:0.1~19999Ω/□; 

          恒流源

           電流量程分為100μA、1mA兩檔,兩檔電流連續(xù)可調(diào)

          數(shù)字電壓表

           量程及表示形式:000.00~199.99mV; 分辨力:10μV;  
           輸入阻抗:>1000MΩ; 精度:±0.1%;  
           顯示:以大屏幕LCD顯示讀數(shù),直觀清晰;極性、超量程自動(dòng)顯示;

          四探針探頭基本指標(biāo)

           間距:1±0.01mm;  針間絕緣電阻:≥1000MΩ; 機(jī)械游移率:≤0.3%;
           探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm; 探針壓力:5~16 牛頓(總力);

          四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

           (見探頭附帶的合格證)

          模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
          ( 按JJG508-87進(jìn)行)

           1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

          整機(jī)測(cè)量 大相對(duì)誤差

          (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%

          整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度

           ≤5%

          外型尺寸

           185mm(長(zhǎng))*90mm(寬)*30mm(高)

          重量

           350g

          電源

           鋰電池,一次充電可連續(xù)使用100小時(shí);

          標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境

           溫度:23±2℃; 相對(duì)濕度:≤65%; 無高頻干擾; 無強(qiáng)光直射

            適用場(chǎng)所:

             本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

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