CH維克托KUBLER 頻率控制器 CH維克托KUBLER 頻率控制器 

原理

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由于石英材料及其振蕩原理的局限性，近年來，人們不斷探索用新技術(shù)來替代它。如mems技術(shù)，但是它的中心振蕩頻率不是很高（如16mhz）所以如果需要高的頻率輸出，必須經(jīng)過一級(jí)pll， 增加了成本，相位噪音和功耗。 　idt在這一領(lǐng)域做了深入的研究，采用的cmos諧波振蕩器（cho），推出了全硅頻率控制器。它的核心是一個(gè)高頻的振蕩模塊，根據(jù)設(shè)置不同的分頻系數(shù)可得到不同的輸出頻率。這樣，既不需要石英做為振蕩源，也不需要pll做倍頻。 　sfc工作狀態(tài)需要電源而晶體不需要。但是，由于asic必須提供晶體起振電路，所以晶體也相應(yīng)地增加了asic的能耗。

管腳分布

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硅頻率控制器的管腳分布以2.5*2*0.55mm 為例，如圖所示

特點(diǎn)與參數(shù)

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精度 　硅頻率控制器的頻率公差在50ppm。-20-70°c頻率溫度特征是50ppm。硅頻率控制器不使用石英，所以沒有老化方面的問題。精度只需考慮兩個(gè)方面即可。可參照以下表2中的例子。晶體精度的取值請(qǐng)參照前文的計(jì)算。 　的設(shè)計(jì) 　硅頻率控制器不需要任何輔助器件即可工作。晶體必須外掛兩顆電容才能正常工作，這不但節(jié)約了成本，還節(jié)約了寶貴的空間，這符合產(chǎn)品小型化發(fā)展的趨勢(shì)。 　超低供電電流 　在工作狀況下，供電電流是1.9ma。靜態(tài)工作電流更是只有1ua。其它基于晶體和mems的產(chǎn)品是它的4-10倍。這對(duì)于手持設(shè)備更是一個(gè)福音。因?yàn)閷?duì)于相同的電池容量，低電流意味著更長的使用時(shí)間，這越來越受到產(chǎn)品制造商的重視。 　快速啟動(dòng)時(shí)間 　標(biāo)準(zhǔn)啟動(dòng)時(shí)間是400us。而晶體的啟動(dòng)時(shí)間有時(shí)競達(dá)到10ms。更快的啟動(dòng)時(shí)間可以使產(chǎn)品從上電或待機(jī)狀態(tài)迅速進(jìn)入正常工作狀態(tài)。這也增強(qiáng)了產(chǎn)品的競爭力，在市場上占有利的地位。 　寬頻率輸出范圍 　不需要pll，硅頻率控制器可輸出4-50mhz。對(duì)于通用的頻率，如10m，14.31818m，19.44m，20m，25m，33m，33.3333m，40m，48m，50m等等可以直接訂購，對(duì)于不通用或者特殊頻率，可通過工廠設(shè)置輸出分頻系數(shù)得到。 　更高的工作可靠性 　現(xiàn)在時(shí)尚的產(chǎn)品總是被人們喜歡隨身攜帶，如掉在地上，被硬物碰到等小意外發(fā)生是不可避免的。這往往會(huì)造成晶體停振而使產(chǎn)品失效。硅頻率控制器由于沒有采用晶體，所以不會(huì)受到振動(dòng)和擠壓的影響。這對(duì)于產(chǎn)品的長期穩(wěn)定性工作是非常重要的。而這也是設(shè)備制造商越來越喜歡它的原因之一。另外，硅頻率控制器沒有高阻抗的輸入管腳，這樣更利于通過emi的測(cè)試。 　塑殼封裝 　硅頻率控制器的封裝采用成本更低的塑殼即可。而晶體必須采用陶瓷密封裝。所以硅頻率控制器的成本可以更低。并且塑殼封裝的資源非常豐富，不受到廠家供貨周期和數(shù)量的限制。 　硅頻率控制器的尺寸通常是2.5*2*0.55mm。并會(huì)有更小的尺寸推出。*，小封裝的晶體會(huì)大幅度增加成本。但這對(duì)于硅頻率控制器是非常容易實(shí)現(xiàn)的并可能是更少的價(jià)格。 　更快的供貨周期 　如前文所述，硅頻率控制器的核心是穩(wěn)定的高速振蕩模塊。工廠可預(yù)先生產(chǎn)，然后根據(jù)客戶的需求來配置輸出頻率，這樣可大大縮短產(chǎn)品供貨周期。 　sfc 晶源 　硅頻率控制器是一種cmos技術(shù)，和asic是同一種工藝，所以asic很容易將硅頻率發(fā)生器的晶源集成進(jìn)去。如果是石英，因?yàn)槭遣煌墓に嚕詴?huì)帶來很多工藝和可靠性方面的問題。