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          OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila
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          貨物所在地: 廣東深圳市
          更新時(shí)間: 2024-09-12 21:00:06
          期: 2024年9月12日--2025年3月12日
          已獲點(diǎn)擊: 2363
          在線詢價(jià)收藏產(chǎn)品

          (聯(lián)系我們,請(qǐng)說明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息,謝謝?。?/p>

          產(chǎn)品簡(jiǎn)介

          OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila
          Ossila廠家直接訂貨、*、交期準(zhǔn)時(shí)、歡迎新老客戶?。。?

          詳細(xì)介紹

          只用于動(dòng)物實(shí)驗(yàn)研究等

          Low density bottom gate bottom contact prefabricated FET substrate Pre-fabricated low-density FET substrate.

          OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila

          Schematics

          Constant channel length design

          OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila

          Low density FET substrate mask dimensions (constant channel length)Constant channel width low-density FET design.

           

          Variable channel length design

          Low density OFET substrate mask dimensions (variable channel length)Variable channel width low-density FET design.


           

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