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產(chǎn)品簡介
CVD管式爐廣泛適用于高、中、低溫CVD工藝，例如：碳納米管的研制、晶體硅基板鍍膜、納米氧化鋅結(jié)構(gòu)的可控生長等等
詳細介紹
CVD管式爐集真空管式爐，多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成，可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)（有雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)），可預(yù)抽真空（有高真空、低真空），通多種氣氛（供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量器和浮子流量控制器）。性能可靠?？刂齐娐愤x用模糊PID程控技術(shù)，具有控溫精度高，溫沖幅度小，性能可靠，簡單易操作等特點。
CVD管式爐廣泛適用于高、中、低溫CVD工藝，例如：碳納米管的研制、晶體硅基板鍍膜、納米氧化鋅結(jié)構(gòu)的可控生長等等；也可適用于金屬材料的擴展焊接以及真空或保護氣氛下熱處理。CVD管式爐具有以下優(yōu)勢：
1、CVD管式爐采用高純石英管或剛玉管作為內(nèi)爐膛。
2、CVD管式爐溫控系統(tǒng)采用進口多段智能程序溫度控制儀控制，溫度控制具有良好的穩(wěn)定性、重復(fù)性。
3、可拆卸式的三面密封方式，具有良好的潔凈度和真空度；
4、耐火，保溫材料全部采用良好的輕質(zhì)纖維制品，整機質(zhì)量輕、能耗低；
5、CVD管式爐加熱元件采用U型硅鋁（碳）棒或*電阻絲。
CVD管式爐功能以及特點說明：
1、CVD管式爐內(nèi)置兩個溫區(qū)，可以營造300℃內(nèi)不同的溫度梯度；
2、雙溫區(qū)控制系統(tǒng)采用PID方式控制，控溫儀表中可以設(shè)置30段升降溫程序，每個溫區(qū)可以單獨控溫；
3、采用KF快速法蘭密封，只需要一個卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷，避免了螺栓密封人為操作導(dǎo)致漏氣的可能；減少了因安裝法蘭而造成加熱管損壞的可能；
4、CVD管式爐爐蓋可打開，可以實時觀察燒結(jié)的物料狀況，并能迅速降溫，滿足材料驟冷驟熱的實驗需要；
5、CVD管式爐爐膛采用進口氧化鋁多晶纖維材料，保溫性能好，耐用，拉伸強度高，無雜球，純度高，節(jié)能效果明顯優(yōu)于國內(nèi)纖維材料；
6、加熱元件采用內(nèi)嵌式高電阻優(yōu)質(zhì)合金絲0Cr27Al7Mo2，經(jīng)久耐用，zui高溫度可達1200℃。
7、預(yù)留了真空、氣路快速接口，可配合我司真空系統(tǒng)、混氣系統(tǒng)使用；
8、CVD管式爐預(yù)留了485轉(zhuǎn)換接口，可通過我司軟件，與計算機互聯(lián)，可實現(xiàn)單臺或者多臺電爐的遠程控制、實時追蹤、歷史記錄、輸出報表等功能；可安裝無紙記錄裝置，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲、輸出。
9、CVD管式爐上蓋開啟自動斷電，超溫報警并斷電，漏電保護，操作安全可靠。
CVD管式爐使用中的注意要點說明：
1、冷爐使用時，由于管式爐膛是冷的，須大量吸熱，所以低溫段升溫速率不易過快，各溫度段的升溫速率差別不易太大，設(shè)置升溫速率時應(yīng)充分考慮所燒結(jié)材料的物理化學(xué)性質(zhì)，以免出現(xiàn)噴料現(xiàn)象，污染爐管。
2、定期檢查溫度控制系統(tǒng)的電器連接部分的接觸是否良好，應(yīng)特別注意加熱元件的各連接點的連接是否緊固。
3、CVD管式爐*使用或長時間不用后，要在120℃左右烘烤1小時，在300℃左右烘烤2小時后使用，以免造成爐膛開裂。爐溫盡量不要超過額定溫度，以免損壞加熱元件 及爐襯。禁止向爐膛內(nèi)直接灌注各種液體及溶解金屬，保持爐內(nèi)的清潔。
4、爐膛若采用石英管，當(dāng)溫度高于1000℃時，石英管的高溫部分會出現(xiàn)不透明現(xiàn)象，這叫失透是連熔石英管的一個固有缺陷，屬正常現(xiàn)象。