鍛件超聲波探傷標(biāo)準(zhǔn)

 

 

如果您有關(guān)鍛件超聲波探傷的技術(shù)問題或者您需要超聲波探傷儀的話，請(qǐng)，或可以選擇在線咨詢。

1.1.1筒形鍛件----軸向長(zhǎng)度L大于其外徑尺寸D的軸對(duì)稱空心鍛件如圖1（a）所示.t為公稱厚度.
1.1.2 環(huán)形鍛件----軸向長(zhǎng)度L小于等于其外徑尺寸D的軸對(duì)稱空心件如圖1（a）所示.t為公稱厚度.
1.1.3 餅形鍛件----軸向長(zhǎng)度L小于等于其外徑D的軸對(duì)稱形鍛件如圖1（b）所示.t為公稱厚度.
1.1.4 碗形鍛件----用作容器封頭,中心部份凹進(jìn)去的軸對(duì)稱形鍛件如圖1（c）所示.t為公稱厚度.
1.1.5 方形鍛件----相交面互相垂直的六面體鍛件如圖1（d）所示.
三維尺寸a、b、c中zui上 稱厚度.
1.2 底波降低量GB/BF（dB）
無缺陷區(qū)的*次底波高度（GB）和有缺陷區(qū)的*次底波高度（BF）之比.由缺陷引起的底面反射的降低量用dB值表示.
1.3 密集區(qū)缺陷
當(dāng)熒光屏掃描線上相當(dāng)于50mm的聲程范圍內(nèi)同時(shí)有5個(gè)或者5個(gè)以上的缺陷反射信號(hào);或者在50mm×50mm的探測(cè)面上發(fā)現(xiàn)同一深度范圍內(nèi)有5個(gè)或5個(gè)以上的缺陷反射信號(hào).
1.4 缺陷當(dāng)量直徑
用AVG方法求出的假定與超聲波束相垂直的平底孔的直徑,稱為缺陷當(dāng)量直徑,或簡(jiǎn)稱為當(dāng)量直徑.
1.5 AVG曲線
以縱座標(biāo)軸表示相對(duì)的反射回波高度,以橫座標(biāo)軸表示聲程,對(duì)不同直徑且假定與超聲波束相垂直的圓平面缺陷所畫出的曲線圖叫AVG曲線,亦稱為DGS曲線.
２ 探傷人員
鍛件探傷應(yīng)由具有一定基礎(chǔ)知識(shí)和鍛件探傷經(jīng)驗(yàn),并經(jīng)考核取得國(guó)家認(rèn)可的資格證書者擔(dān)任.
３ 探傷器材
3.1 探傷儀
3.1.1 應(yīng)采用A型脈沖反射式超聲波探傷儀,其頻響范圍至少應(yīng)在1MHz～5Mhz內(nèi).
3.1.2 儀器應(yīng)至少在滿刻度的75%范圍內(nèi)呈線性顯示（誤差在5%以內(nèi)）,垂直線性誤差應(yīng)不大于5%.
3.1.3 儀器和探頭的組合靈敏度:在達(dá)到所探工件zui大程處的探傷靈敏度時(shí),有效靈敏度余量至少為10dB.
3.1.4 衰減器的精度和范圍,儀器的水平線性、動(dòng)態(tài)范圍等均應(yīng)隊(duì)伍ZBY230-84《A型脈沖反射式超聲波探傷儀通用技術(shù)條件》中的有關(guān)規(guī)定.
3.2 探頭
3.2.1 探頭的公稱頻率主要為2.5Mhz,頻率誤差為±10%.
3.2.2 主要采用晶片尺寸為Φ20mm的硬保護(hù)膜直探頭.
3.2.3 必要時(shí)也可采用2MHzs或25MHz,以及晶片尺寸不大于Φ28mm探頭.
3.2.4 探頭主聲束應(yīng)峰,無偏斜.
3.3 耦合劑
可采用機(jī)油、甘油等透聲性能好,且不損害工件的液體.
４ 探傷時(shí)機(jī)及準(zhǔn)備工作
4.1 探傷時(shí)機(jī)
探傷原則上應(yīng)安排在zui終熱處理后,在槽、孔、臺(tái)級(jí)等加工前,比較簡(jiǎn)單的幾何形狀下進(jìn)行.熱處理后鍛件形狀若不適于超聲波探傷也可在熱處理前進(jìn)行.但在熱處理后,仍應(yīng)對(duì)鍛件盡可能*進(jìn)行探傷.
4.2 準(zhǔn)備工作
4.2.1 探傷面的光潔度不應(yīng)低一地5,且表面平整均勻,并與反射面平等,圓柱形鍛件其端面應(yīng)與軸線相垂直,以便于軸向探傷.方形鍛件的面應(yīng)加工平整,相鄰的端面應(yīng)垂直.
4.2.2 探傷表面應(yīng)無劃傷以及油垢和油潛心物等附著物.
4.2.3 鍛件的幾何形狀及表面檢查均合格后,方可進(jìn)行探傷.
4.3 重要區(qū)
鍛件的重要區(qū)應(yīng)在設(shè)計(jì)圖樣中或按JB 755-85《壓力容器鍛件技術(shù)條件》予以注明.
５ 探傷方法
鍛件一般應(yīng)進(jìn)行縱波探傷,對(duì)簡(jiǎn)形鍛件還應(yīng)進(jìn)行橫波探傷,但掃查部位和驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)由供需雙方商定.
5.1 橫波探傷
橫波探傷應(yīng)按附錄B的要求進(jìn)行.
5.2 縱波探傷
5.2.1 掃查方法
5.2.1.1 鍛件原則上應(yīng)從兩相互垂直的方向進(jìn)行探傷,盡可能地探測(cè)到鍛件的全體積,主要探測(cè)方向如圖2所示,其他形狀的鍛件也可參照?qǐng)?zhí)行.
5.2.1.2 掃查范圍:應(yīng)對(duì)鍛件整個(gè)表面進(jìn)行連續(xù)全面掃查.
5.2.1.3 掃查速度:探頭移動(dòng)速度不超過150mm/s.
5.2.1.4 掃查復(fù)蓋應(yīng)為探頭直徑的15%以上.
5.2.1.5 當(dāng)鍛件探測(cè)厚度大于400mm時(shí),應(yīng)從相對(duì)兩端面探傷.
5.2.2 探傷靈敏度的校驗(yàn)
5.2.2.1 原則上利用大平底采用計(jì)算法確定探傷靈敏度,對(duì)由于幾何形狀所限,以及缺陷在近場(chǎng)區(qū)內(nèi)的工件,可采用試塊法（見附錄A）.
5.2.2.2 用底波法校正靈敏度,校正點(diǎn)的位置應(yīng)選以工件上無缺陷的完好區(qū)域.
5.2.2.3 曲面補(bǔ)償:對(duì)于探測(cè)面是曲面而又無法采用底波法的工件,應(yīng)采用曲率與工件相同或相近（0.7-1.1倍）的參考試塊（見附錄A）;或者采用小直徑晶片的探頭,使其近場(chǎng)區(qū)的長(zhǎng)度小于等于1/4工件半徑,這樣可不需進(jìn)行曲面補(bǔ)償.
5.2.2.4 探傷靈敏度不得低于Φ2mm當(dāng)量直徑.
5.2.3 缺陷當(dāng)量的確定
5.2.3.1 采用AVG曲線及計(jì)算法確定缺陷當(dāng)量.
5.2.3.2 計(jì)算缺陷當(dāng)量時(shí),當(dāng)材質(zhì)衰減系數(shù)超過4dB/m時(shí),應(yīng)考慮修正.
5.2.3.3 材質(zhì)衰減系數(shù)的測(cè)定
a. 應(yīng)在被測(cè)工件無缺陷區(qū)域,選取三處有代表性的閏,求B1/B2的值,即*次底波高度（B1）與第二次底波高度（B2）之比的dB差值.
b. 衰減系數(shù)a（dB/m）的計(jì)算為
 
式中 T----聲程,m.
5.2.3.4 AVG曲線圖見附錄C.
5.3 靈敏度的重新校驗(yàn)
5.3.1 除每次探傷前應(yīng)校準(zhǔn)靈敏度外,遇有下述情況時(shí),必須對(duì)探傷靈敏度進(jìn)行重新校準(zhǔn).
a. 校正后的探頭、耦合劑和儀器調(diào)節(jié)旋鈕等發(fā)生任何改變時(shí);
b. 開路電壓波動(dòng)或操作者懷疑靈敏度有變動(dòng)時(shí);
c. 連續(xù)工作4以上;
d. 工作結(jié)束時(shí).
5.3.2 當(dāng)增益電平降低2dB以上時(shí),應(yīng)對(duì)上一次校準(zhǔn)以來所有檢查鍛件進(jìn)行復(fù)探;當(dāng)增益電平升高2dB以上時(shí),應(yīng)對(duì)所有的記錄信號(hào)進(jìn)行重新評(píng)定.
６ 記錄
6.1 記錄當(dāng)量直徑超過Φ4mm的單個(gè)缺陷的波幅的位置.
6.2 密集性缺陷:記錄密集性缺陷中zui大當(dāng)量缺陷的位置和分布.
6.2.1 餅形鍛件應(yīng)記錄大于等于Φ4mm當(dāng)量直徑的缺陷密集區(qū).
6.2.2 其他鍛件應(yīng)記錄大于等于Φ3mm當(dāng)密集區(qū).
6.2.3 缺陷密集區(qū)面積以50mm×50mm的方塊作為zui小量度單位,其邊界可由半波高并法決定.
6.3 應(yīng)按表2要求記底波降低量
6.4 衰減系數(shù),若供需雙方有規(guī)定時(shí),應(yīng)記錄衰減系數(shù).
７ 等級(jí)分類
7.1 單個(gè)缺陷反射的等級(jí)見表1.

表1 單個(gè)缺陷反射的等級(jí)

等 級(jí)  Ⅰ  Ⅱ  Ⅲ  Ⅳ  Ⅴ
缺陷當(dāng)量
直 徑 ≤Φ4 ＞Φ4+（＞5～8dB） Φ4+（＞8～12dB） Φ4+（＞12～16dB） ＞Φ4+16dB）
7.2 底波降低量的等級(jí)見表2.

表2 由缺陷引起底波防低量的等級(jí)

等 級(jí)  　 Ⅰ  Ⅱ  Ⅲ  Ⅳ  Ⅴ
底波降低量 BG/BF ≤8 ＞8～14 ＞14～20 ＞20～26 ＞26
　
注: ①在計(jì)算缺陷引起的底面反射降低量時(shí),應(yīng)扣除4dB/m的材質(zhì)衰減.
②表2僅適用于聲程大于一倍近場(chǎng)區(qū)的缺陷.
7.3 密集區(qū)缺陷等級(jí)見表3.

表3 密集區(qū)缺陷引起的等級(jí)

等 級(jí)  Ⅰ  Ⅱ  Ⅲ  Ⅳ  Ⅴ
密集區(qū)缺陷占探傷總面積百分比H 0 ＞0～5% ＞5～10% ＞10～20% ＞20%
注:表1至表3的等級(jí)應(yīng)作為獨(dú)立的等級(jí)分別使用.
7.4 如果工件的材質(zhì)衰減對(duì)探傷效果有較大的影響時(shí),應(yīng)重新進(jìn)行熱處理.
7.5 按7.1、7.2、7.3節(jié)認(rèn)定級(jí)別的缺陷,如果被探傷人員判定為危害性缺陷時(shí),可以不受上述條文的限制.
８ 探傷報(bào)告
探傷報(bào)告不應(yīng)少于以下內(nèi)容.
8.1 工件情況
工件名稱、材料牌號(hào)、編號(hào)、材質(zhì)衰減、主要部位尺寸草圖、探傷面的光潔度.
8.2 探傷條件
探傷儀型號(hào)、探頭頻率、晶片尺寸（k值）、探測(cè)方向、探傷靈敏度、參考反射體、耦合劑等.
8.3 探傷結(jié)果
8.3.1 缺陷位置、缺陷當(dāng)量直徑、底波降低區(qū)及缺陷分布示意圖.
8.3.2 缺陷等級(jí)及其他.
8.4 探傷人員的資格證號(hào)、等級(jí)、姓名、報(bào)告簽發(fā)人的資格證號(hào)、等級(jí)、姓名、日期.
附錄A
試塊要求
（補(bǔ)充件）
A.1 遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)使用,探測(cè)表面為平面時(shí),應(yīng)采用CS2型標(biāo)準(zhǔn)試塊.
A.2 近場(chǎng)區(qū)使用,探測(cè)表面為平面時(shí),應(yīng)采用CS1型標(biāo)準(zhǔn)試塊.
A.3 探傷面是曲面時(shí),原則上應(yīng)采用與工件具有大致相當(dāng)曲率半徑的對(duì)比試塊,其具體形狀如圖A1.
附錄B
橫波探傷
（補(bǔ)充件）
B.1 橫波探傷僅適用于內(nèi)外徑之比大于等于75%的環(huán)形和筒形鍛件.
B.2 探頭
B.2.1 探頭公稱頻率主要為2.5MHz,也可用2MHz.
B.2.2 探頭晶片面積為140-400mm2.
B.2.3 原則上應(yīng)采用K1探頭,但根據(jù)工件幾何形狀的不同,也可采用其他的K值探頭.
B.3 參考反射體
B.3.1
為了調(diào)整探傷靈敏度,利用被探工件壁厚或長(zhǎng)度上的加工余部份制作對(duì)比試塊,在鍛件的內(nèi)外表面,分別沿軸向和周向加工平行的V形槽作為標(biāo)準(zhǔn)溝槽.V形槽長(zhǎng)度為25mm,深度為鍛件壁厚的1%,角度為60°.也可用其他等效的反射體（如邊角反射等）.
B.4 探傷方法
B.4.1 掃查方法
B.4.1.1 掃查方向見圖B1.
B.4.1.2 探頭移動(dòng)速度不應(yīng)超過150mm/s.
B.4.1.3 掃查復(fù)蓋應(yīng)為探頭寬度的15%以上.
B.4.2 靈敏度檢驗(yàn)
從鍛件外圓面將探頭對(duì)準(zhǔn)內(nèi)圓面的標(biāo)準(zhǔn)溝槽,調(diào)整增益,使zui大反射高度為滿幅的80%,將該值在面板上作一點(diǎn),以其為探傷靈敏度;再移動(dòng)探頭探外圓面的標(biāo)準(zhǔn)溝槽,并將zui大反射高度亦在面板上作一點(diǎn),將以上二點(diǎn)用直線連接并延長(zhǎng),使之包括全部探傷范圍,繪出距離---振幅曲線.內(nèi)圓面探傷時(shí)以同一順序進(jìn)行,但探頭斜楔應(yīng)與內(nèi)圓面曲率一致.
B.5 記錄
記錄超---振幅曲線一半的缺陷反射和缺陷檢出位置.
附錄C
AVG 曲線圖
（參考件）
C.1 AVG曲線參考圖例如下:
C.2 AVG曲線圖必須在CS1和CS2型標(biāo)準(zhǔn)試塊上測(cè)定后繪制.