CMP清洗研磨設備技術(shù)專用超聲波流量計

一、化學機械拋光（CMP）基本概念：

CMP，即化學機械拋光，是一種通過化學和機械相結(jié)合的方式對硅片表面進行精確研磨和拋光的技術(shù)。正是這一技術(shù)的硬件基礎，它能夠?qū)崿F(xiàn)硅片表面的全局平坦化，為后續(xù)的工藝提供良好的基礎。CMP設備是半導體制造領域的關(guān)鍵工藝設備。

CMP清洗研磨設備技術(shù)專用超聲波流量計

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1、CMP 設備基本情況

1）CMP主要主要過程

CMP過程包括三個主要步驟：拋光、清洗和傳送。拋光過程中，拋光液中的化學成分與晶圓表面材料發(fā)生反應，形成一層可被機械移除的薄膜，隨后拋光墊通過機械作用去除這層薄膜，從而實現(xiàn)表面的平滑。

2）CMP設備的主要類型

CMP設備根據(jù)應用端需求可分為8英寸、12英寸以及6/8英寸兼容設備。

3）CMP設備的主要應用領域

主要用于半導體制造領域，且半導體產(chǎn)業(yè)鏈可分為晶圓材料制造、半導體設計、半導體制造、封裝測試四大環(huán)節(jié)。除半導體設計環(huán)節(jié)外，其他領域均有 CMP 設備應用：

①晶圓材料制造環(huán)節(jié)：在拋光環(huán)節(jié)需要應用 CMP 設備得到平整的晶圓材料。