鈦酸鎂MgTiO3/鈦酸鉍基鈣鈦礦相熱敏陶瓷
鈦酸鎂MgTiO3/鈦酸鉍基鈣鈦礦相熱敏陶瓷
產(chǎn)品：
鈣鈦礦復(fù)合氧化物納米晶體膠
含鑭鲺鈦礦型復(fù)合氧化物
錳酸鑭鈣鈦礦型復(fù)合氧化物
含鑭/氧化鈰-鈦鐵礦復(fù)合物
鈣鈦礦-鍶鈦礦-鈉鑭鈦礦復(fù)合物
鈣鈦礦型鈮/鈦酸鹽復(fù)合光催化劑
鈣鈦礦型復(fù)合氧化物鎳酸鑭光催化
鎳酸鑭鈣鈦礦氧化物薄膜
鈦酸鉍鈉基鈣鈦礦型無(wú)鉛壓電陶瓷性能與機(jī)理研究
【摘要】：壓電陶瓷作為一類(lèi)重要的電子功能材料,應(yīng)用于醫(yī)學(xué)、聲學(xué)、機(jī)械、電子、自動(dòng)化等領(lǐng)域。當(dāng)前對(duì)電子產(chǎn)品的環(huán)境友好性要求日益迫切,壓電陶瓷的無(wú)鉛化是未來(lái)的研究方向。鈦酸鉍鈉基鈣鈦礦型壓電陶瓷被認(rèn)為是較具應(yīng)用前景的無(wú)鉛壓電材料之一,具備其它無(wú)鉛壓電陶瓷體系無(wú)法媲美的優(yōu)點(diǎn),例如高場(chǎng)致應(yīng)變、高振速下好的性能穩(wěn)定性、的可重復(fù)性、易于大規(guī)模制備等。但是,鈦酸秘鈉基無(wú)鉛壓電陶瓷體系較低的退極化溫度了其應(yīng)用范圍。以鈦酸鉍鈉基鈣鈦礦型無(wú)鉛壓電陶瓷為研究對(duì)象,探索其退極化溫度、場(chǎng)致應(yīng)變以及優(yōu)化大功率應(yīng)用性質(zhì)的方法。系統(tǒng)研究了缺陷、離子替代以及晶粒尺寸對(duì)鈦酸鉍鈉基無(wú)鉛壓電陶瓷的相結(jié)構(gòu)、介電、鐵電、壓電性能及其溫度穩(wěn)定性等的影響。研究了不同熱處理工藝對(duì) 0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3(BNT-6BT)無(wú)鉛壓電陶瓷退極化溫度的影響。通過(guò)對(duì)變溫介電和變溫場(chǎng)致應(yīng)變的研究,發(fā)現(xiàn)淬火工藝使BNT-6BT陶瓷的退極化溫度從96℃至136℃。通過(guò)X射線光電子能譜(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)、電子順磁共振譜(Electron paramagnetic resonance,EPR)等測(cè)試表明,陶瓷中的氧空位缺陷是退極化溫度的內(nèi)在機(jī)制;淬火工藝在陶瓷中引入氧空位缺陷,其對(duì)鐵電疇壁具有釘扎作用,使陶瓷可以在更寬的溫度范圍內(nèi)保持鐵電性,進(jìn)而了退極化溫度?；谏鲜鐾藰O化溫度的氧空位缺陷機(jī)制,研究了 0.8(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.2(Bi0.5K0.5)TiO3(BNT-BKT)體系中具有氧缺陷的組元BaInO2.5(BaIn)的引入對(duì)陶瓷退極化溫度、鐵電及壓電等性能的影響。變溫介電譜表明,含氧缺陷組元的引入,了退極化溫度,較高可90℃;同時(shí)也了壓電常數(shù)。變溫復(fù)阻抗的研究說(shuō)明了活化能與氧缺陷組分含量的關(guān)系。利用組分替代的方法,在鐵電體BNT-BT中引入組元(Bi0.5Na0.5)(Mn1/3Nb2/3)O3(BNMN),成功制備了 BNT-BT-BNMN三元弛豫鐵電體,隨著B(niǎo)NMN引入含量的,其鐵電性和壓電性變化。通過(guò)X射線衍射(X-ray diffraction,XRD)測(cè)試確定了 BNT-BT-xBNMN三元體系的準(zhǔn)同型相界(Morphotropic Phase Boundary,MPB)為 x=0.005-0.02 之間,在 x=0.02 組分具有較高壓電常數(shù)150pC/N。在x=0.0275組分獲得了 0.28%的場(chǎng)致應(yīng)變,與未替代組分相比了約一倍。采用非化學(xué)計(jì)量比的方法,研究了在 0.88(Bi05Na0.5)TiO3-0.08(Bi0.5K0.5)TiO3-0.04(Bi0.5Li0.5)TiO3(BNT-BKT-BLT)三元陶瓷中引入過(guò)量的低熔點(diǎn)易揮發(fā)元素K、Na對(duì)陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)、大功率性質(zhì)以及溫度穩(wěn)定性等的影響。發(fā)現(xiàn)過(guò)量的K、Na了晶粒尺寸的長(zhǎng)大,與未過(guò)量體系相比,晶粒尺寸增長(zhǎng)了約10倍。阻抗譜和變溫介電譜的測(cè)試表明,晶粒尺寸較大的體系具有更高的機(jī)械因數(shù)和溫度穩(wěn)定性。隨后,在K、Na過(guò)量體系中加入Mn02,引入了缺陷偶極子,進(jìn)一步了陶瓷的機(jī)械因數(shù)及溫度穩(wěn)定性。
產(chǎn)品供應(yīng)：
| Cs2SrPbI6雙鈣鈦礦納米材料 |
| Cs2KBiCl6雙鈣鈦礦三維材料 |
| Cs2NaInCl6鈣鈦礦納米晶 |
| 鈦礦半導(dǎo)體納米晶體CsPbBr3 |
| 二維鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)(C4H9NH3)2PbI4 |
| (C4H9NH3)2(CH3NH3)Pb2I7鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
| (C4H9NH3)2(CH3NH3)Pb2I7鈣鈦礦晶體 |
| TMOF-5 |
| PbCoO3鈣鈦礦納米晶 |
| 全無(wú)機(jī)鹵素鈣鈦礦CsPbBr3晶體 |
| 鈣鈦礦/銅銦鎵硒（GIGS） |
| CH3NH3PbI2Br/銅銦鎵硒鈣鈦礦材料 |
| PMMA/CsPbBr3量子點(diǎn) |
| Zn2SnO4基鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料 |
| MAPbfI3金屬鹵化鈣鈦礦三維材料 |
| 有機(jī)氯化鉛雜化材料(C9NH20)7(PbCl4)Pb3Cl11 |
| 全無(wú)機(jī)銫鉛鹵鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbX3 |
| (BA)4AgBiBr8有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鹵素雙鈣鈦礦 |
| Pb-Sn-Cu鈣鈦礦薄膜 |
| (C4H9NH3)2(CH3NH3)3Pb4I13鈣鈦礦光電探測(cè)器 |
| 二維銣-銫合金鈣鈦礦材料RbxCs1-xPbBr3 |
| 摻鎂的鈣鈦礦薄膜CsPbBr3 |
| 疊層CsPbBr3/MABr鈣鈦礦薄膜 |
| CsPbBr3@MABr核殼鈣鈦礦 |
| 核殼型PbSe@CsPbBr3鈣鈦礦納米材料 |
| 碘化肼錫（HASnI3）鈣鈦礦薄膜 |
| MASnI3鈣鈦礦薄膜 |
| 二苯并環(huán)辛醇-聚(乙二醇)-脫鎂葉綠酸A偶聯(lián)物 |
| 低維Cs2PbI2Cl2鈣鈦礦納米晶 |
| C4N2H14SnBr4錫基鈣鈦礦晶格 |
| 紅色/藍(lán)色鈣鈦礦二維納米晶 |
| 氮摻雜碳包覆的子彈狀Cu9S5空心顆粒（Cu9S5@NC） |
| 鈣鈦礦納米線陣列 |
| 六方密堆積相納米級(jí)Au六角星 |
| Ti3SiC2納米晶 |
| Ti2AlN陶瓷材料 |
| CuInxGa1-xSe2薄膜材料 |
| 介孔碳納米球 |
| 多晶硅以及多晶CdTe |
| 多孔碳納米片 |
| 多鐵性層狀鈣鈦礦Bi5CoTi3O15 |
| 聚多巴胺包覆金納米星(GNS@PDA) |
| 雙功能改性鈣鈦礦薄膜定制 |
1.關(guān)于顏色
產(chǎn)品因分子量不同，產(chǎn)品性狀和顏色會(huì)有差別。
2.關(guān)于客服
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