GeBi2Te4、CuInP2Se6、銻化銦InSb晶體基片
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GeBi2Te4、CuInP2Se6、銻化銦InSb晶體基片
產(chǎn)品名稱: | 銻化銦(InSb)晶體基片 |
產(chǎn)品簡介: | |
參數(shù): | 單晶 InSb 摻雜 None;Te;Ge 導(dǎo)電類型 N;N;P 載流子濃度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位錯(cuò)密度cm-2 <2x102 |
產(chǎn)品規(guī)格: | 標(biāo)準(zhǔn)尺寸:2"x0.5mm, 表面粗糙度Ra:<1 注:可按客戶需求定制的方向和尺寸。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1000級(jí)凈室,100級(jí)凈袋或單片盒封裝 |
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溫馨提示:用于科研哦?。▃hn2020.05.19)