WS2/WSe2二硫化鎢/二硒化鎢異質(zhì)結(jié)薄膜

西安齊岳生物提供SiO2/Si基底|石英基底|PET基底|藍(lán)寶石基底異質(zhì)結(jié)材料(石墨烯、氮化硼異質(zhì)結(jié));具體有:SnS2/Graphene、SnSe2/Graphene、MX2/hBN、MoS2/hBN、WS2/hBN、MoSe2/hBN、MoS2/WS2/hBN/Graphene異質(zhì)結(jié)、MX2/MX2/hBN/石墨烯異質(zhì)結(jié)、MX2/hBN異質(zhì)結(jié)、MX2/石墨烯異質(zhì)結(jié)、MoS2/WS2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)(WSe2,MoSe2)、MX2/GrapheneMoS2/Graphene、WS2/Graphene、MoS2/WS2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)(WSe2,MoSe2)、MoS2/MoS2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)、MoS2/WS2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)、MoS2/WSe2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)、MoS2/MoSe2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)、WS2/WS2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)、WS2/WSe2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)、WS2/MoSe2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)、WSe2/WSe2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)、WSe2/MoSe2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)、MoSe2/MoSe2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)、MX2/hBN/Graphene轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)

WS2/WSe2二硫化鎢/二硒化鎢異質(zhì)結(jié)薄膜:

大尺度單層的2D-TMDCs材料具有高的科研和實(shí)用價(jià)值。通過CVD制備二維的二硫化鎢和二硒化鎢所用的氧化鎢前驅(qū)體自身氣化困難,致使反應(yīng)要在的溫度或的氣壓下進(jìn)行,這一直是該領(lǐng)域尤待解決的問題。本論文從CVD制備二維二硫化鎢和二硒化鎢入手,采用鹵化物輔助的CVD成功制備了大尺寸的目標(biāo)材料。研究了該實(shí)驗(yàn)體系的生長(zhǎng)窗口,探究了生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)時(shí)間、鹵化物種類及加入比例和載氣的流量等因素對(duì)材料生長(zhǎng)的影響,實(shí)現(xiàn)了在較低的溫度、較溫和條件下制備大尺寸單層二硫化鎢和二硒化鎢。通過對(duì)所制得的材料進(jìn)行光學(xué)顯微鏡(Optical Microscope,OM)、掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)、拉曼光譜(Raman spectra)、光致發(fā)光譜(Photoluminescence spectroscopy)、透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,TEM)和原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope,AFM)等表征了材料具有較高的;此外,通過實(shí)驗(yàn)探究、結(jié)合文獻(xiàn)調(diào)研對(duì)實(shí)驗(yàn)機(jī)理進(jìn)行了研究,并對(duì)影響生長(zhǎng)結(jié)果的因素進(jìn)行了探討。

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