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        1. 那諾中國(guó)有限公司
          中級(jí)會(huì)員 | 第10年

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          SWC-4000兆聲濕法刻蝕系統(tǒng)
          • SWC-4000兆聲濕法刻蝕系統(tǒng)
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          貨物所在地:國(guó)外

          地: 美國(guó)

          更新時(shí)間:2024-07-07 21:00:06

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          ( 聯(lián)系我們,請(qǐng)說(shuō)明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息,謝謝?。?/p>

          SWC-4000兆聲濕法刻蝕系統(tǒng):Nano-Master兆聲單晶圓及掩模版清洗機(jī)提供高可重復(fù)性、高均勻性及的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離,以及濕法刻蝕。它可以在一個(gè)工藝步驟中包含了的無(wú)損兆聲清洗、化學(xué)試劑清洗、刷子清洗以及干燥功能。

          兆聲濕法刻蝕技術(shù)

          SWC-4000兆聲濕法刻蝕系統(tǒng)概述:

          技術(shù)的兆聲和清洗技術(shù)的發(fā)展,對(duì)MEMS和半導(dǎo)體等領(lǐng)域的晶圓和掩模版清洗提供了的水平,可以幫助用戶獲得zui干凈的晶圓片和掩模版。

          NANO-MASTER提供兆聲單晶圓&掩模清洗(SWC)系統(tǒng),用于的無(wú)損兆聲清洗??梢赃m用于易受損的帶圖案或無(wú)圖案的基片,包含帶保護(hù)膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達(dá)到*化的清洗效果,兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個(gè)基片表面,通過(guò)分布能量的zui大化支持的清洗,同時(shí)保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。

          SWC系統(tǒng)提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力,這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進(jìn)一步加強(qiáng)。SWC和LSC具備對(duì)點(diǎn)試劑滴膠系統(tǒng),可以zui大程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力,提供了可控的化學(xué)試劑在整個(gè)基片上的分布。

          通過(guò)聯(lián)合使用化學(xué)試劑滴膠和NANO-MASTER的兆聲清洗技術(shù),系統(tǒng)去除顆粒的能力得到進(jìn)一步優(yōu)化。顆粒從表面被釋放的能力也因此得到提升,從而被釋放的顆粒在幅流的DI水作用下被掃除出去,而把回附的數(shù)量降到了zui低水平。從基片表面被去除。如果沒(méi)有使用幅流DI水的優(yōu)勢(shì),的靜態(tài)可循環(huán)兆聲清洗槽會(huì)有更大數(shù)量的顆?;馗?,并且因此需要更多的去除這些顆粒。

          此外,NANO-MASTER的清洗機(jī)都還提供了一系列的選配功能。PVA軟毛刷提供了機(jī)械的方式去除無(wú)圖案基片上的污點(diǎn)和殘膠。DI水臭氧化的選配項(xiàng)提供了有機(jī)物的去除,而無(wú)須腐蝕性的化學(xué)試劑。我們的氫化DI水系統(tǒng)跟兆聲能量結(jié)合可以達(dá)到納米級(jí)的顆粒去除。根據(jù)不同的應(yīng)用,某些選配項(xiàng)將會(huì)進(jìn)一步提高設(shè)備去除不想要的顆粒和殘留物的能力。

          SWC系統(tǒng)能夠就地實(shí)現(xiàn)熱氮或異丙醇甩干?!案蛇M(jìn)干出" 一步工藝可以在我們的系統(tǒng)中以zui低的投資和購(gòu)置成本來(lái)實(shí)現(xiàn)。NANO-MASTER清洗機(jī)的工藝處理時(shí)間可以在3-5分鐘內(nèi)完成,具體是3分鐘還是5分鐘取決于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情況。

          NANO-MASTER的技術(shù)也適用于清洗背部以及帶保護(hù)膜掩模版前面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,降低這些掩模版的不必要去除和重做保護(hù)膜的幾率。它也可以用于去除薄膜膠黏劑的黏附性并準(zhǔn)備表面以便再次覆膜。此外,帶薄膜掩模版的全部正面的兆聲清洗以及旋轉(zhuǎn)甩干可以做到無(wú)損并且對(duì)薄膜無(wú)滲漏。

          SWC是一款帶有小占地面積的理想設(shè)備,并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設(shè)備都具有出眾的清洗能力,并可用于非常廣泛的基片。

          SWC-4000兆聲濕法刻蝕系統(tǒng)應(yīng)用:

          • 濕法刻蝕
          • 帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片
          • Ge, GaAs以及InP晶圓片清洗
          • CMP處理后的晶圓片清洗
          • 晶圓框架上的切粒芯片清洗
          • 等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗
          • 帶保護(hù)膜的分劃版清洗
          • 掩模版空白部位或接觸部位清洗
          • X射線及極紫外掩模版清洗
          • 光學(xué)鏡頭清洗
          • ITO涂覆的顯示面板清洗
          • 兆聲輔助的剝離工藝

          的特點(diǎn):

          • 支持12"直徑的圓片或9"x9"方片
          • 獨(dú)立系統(tǒng)
          • 無(wú)損兆聲,試劑,毛刷清洗及旋轉(zhuǎn)甩干
          • 微處理機(jī)自動(dòng)控制
          • 化學(xué)試劑滴膠單元
          • 溶劑與酸分離排廢
          • 熱氮
          • 30"D x 26"W 的占地面積

          選配項(xiàng):

          • 機(jī)械手自動(dòng)上下載片
          • 掩模板或晶圓片夾具
          • 臭氧清洗
          • PVA軟毛刷清洗
          • 高壓DI清洗
          • 氮?dú)怆x子發(fā)生器

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