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泰州巨納新能源有限公司

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SnSe 硒化錫晶體 (Tin Selenide) 返回列表頁(yè)

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產(chǎn)品型號(hào)

品牌2D Semiconductors

廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地泰州市

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更新時(shí)間：2024-06-03 11:13:17瀏覽次數(shù)：659次

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供貨周期	現(xiàn)貨	應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,能源,綜合

In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers.

詳情介紹

In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers. Each monolayer is four atoms thick (Se-Sn-Sn-Se) that is roughly 0.9-1.0 nm. At high pressures it undergo semiconductor to superconductor transition. More recently, SnSe has been shown to display world record performance for thermoelectric material efficiency.

SnSe single crystal characteristics