射頻CCP薄膜沉積裝置 型號(hào):ZH5494 | 貨號(hào):ZH5494 |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。 通過(guò)本實(shí)驗(yàn)裝置可以掌握CVD(化學(xué)氣相沉積);理解CVD的成膜過(guò)程及要求,化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)的原理,等離子體CVD的原理、特點(diǎn)及等離子體的激勵(lì)方式;了解該在電學(xué)、光學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景。 可開(kāi)設(shè)的實(shí)驗(yàn) 1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用; 2、硅系納米復(fù)合薄膜材料PCVD法制備; 3、電容耦合/電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積制備種功能薄膜。 主要參數(shù) 1、薄膜沉積室:由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成;尺寸:Φ220×H230mm; 2、薄膜沉積室本底真空: ≤1Pa; 3、射頻耦合方式:電容耦合/電感耦合;射頻源功率:帶500W 13.56MHz; 4、氣路系統(tǒng):由三路轉(zhuǎn)子流量計(jì)控制(可選配流量計(jì)); 5、襯底加熱溫度:室溫至300℃可控; 6、平行板電:Φ70mm; 7、工作反應(yīng)氣體:由電板上微孔均勻?qū)耄?br />8、真空抽氣系統(tǒng):2XZ-4型旋片機(jī)械泵,4L/S,單相220V交流電源供電; 9、管道、閥門(mén):材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管; 10、對(duì)過(guò)流過(guò)壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警,并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施; 11、供電電源:AC220V,50Hz,整機(jī)功率2KW。 |